| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-29 15:20 Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 ○諏訪智之・寺本章伸・後藤哲也・平山昌樹・須川成利・大見忠弘（東北大）  SDM2015-73 |
|
| 抄録 | （和） | MOSデバイスにおいてゲート絶縁膜とシリコンの界面の平坦性は，デイバス性能および動作信頼性に大きく影響する．近年開発が盛んなフィン構造のような微細で複数の面方位を有するシリコン表面の平坦化や，最新のLSI製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成直前にシリコン表面の平坦化プロセスを導入するためには，低温で平坦化可能なプロセスが要求される．ゲート酸化膜形成直前に400℃のXe/H2プラズマによる平坦化を導入することにより，シリコン表面が平坦化され，絶縁破壊電界強度が向上し，そのばらつきも低減されることを明らかにした． |
| （英） | In order to flatten any crystal orientation of Si surface including Si-fin-structure and to introduce the flattening process just before the gate oxide formation in the latest LSI manufacturing process, it is strongly required that the flattening process is carried out at lower temperature. By introducing Xe/H2 plasma flattening at 400 oC just before the gate oxide formation, the breakdown field (Ebd) was improved and Ebd fluctuation became much smaller than that of conventional. | |
| キーワード | （和） | MOSデバイス / シリコン表面 / 表面平坦化 / プラズマプロセス / / / / |
| （英） | MOS device / Si surface / Surface flattening / Plasma process / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-73, pp. 13-16, 2015年10月. | |
| 資料番号 | SDM2015-73 | |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-73 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-10-29 - 2015-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-Low Temperature Flattening Technique of Silicon Surface Using Xe/H2 Plasma |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSデバイス / MOS device |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン表面 / Si surface |
| キーワード(3)（和/英） | 表面平坦化 / Surface flattening |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマプロセス / Plasma process |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 昌樹 / Masaki Hirayama / ヒラヤマ マサキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-29 15:20:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-73 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]