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講演抄録/キーワード
講演名 2015-10-30 11:15
InP(001)微傾斜基板上における多重積層InAs量子ドットレーザの諸特性
赤羽浩一梅沢俊匡松本 敦山本直克NICTOCS2015-73 OPE2015-123 LQE2015-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2015-123 LQE2015-92
抄録 (和) これまでに我々はInP(001)微傾斜基板上において歪補償法を用いた自己組織化InAs量子ドットの多重積層構造の形成を行い、これを用いたブロードエリアレーザを作製した。作製したレーザにおいては量子ドットの基底準位である1576 nmの発振が得られた。外部量子効率の共振器依存性から得られた内部量子効率、内部損失はそれぞれ59%、130cm-1であった。また、しきい値電流の温度特性の指標である特性温度において100Kを超える高い値が得られた。 
(英) We fabricated broad-area laser diodes consisting of 30-layer stacks of InAs quantum dots by using a strain-compensation technique on a vicinal (001)InP substrate. These laser diodes exhibit ground-state lasing at 1576 nm in the pulsed mode. The internal quantum efficiency and internal loss were estimated to be 59% and 130 cm-1. A high characteristic temperature of 111 K was also obtained from the measurement of temperature dependence of threshold current.
キーワード (和) 量子ドット / 歪補償 / 特性温度 / 微傾斜基板 / 分子線エピタキシー / / /  
(英) quantum dot / strain-compensation / characteristic temperature / vicinal substrate / molecular beam epitaxy / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 278, LQE2015-92, pp. 159-162, 2015年10月.
資料番号 LQE2015-92 
発行日 2015-10-22 (OCS, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OCS2015-73 OPE2015-123 LQE2015-92 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2015-123 LQE2015-92

研究会情報
研究会 OPE LQE OCS  
開催期間 2015-10-29 - 2015-10-30 
開催地(和) 別府国際コンベンションセンター 
開催地(英) Beppu International Convention Center 
テーマ(和) 伝送技術(多重化技術、インペアメント補償、変復調、光増幅)、光測定技術、光信号処理技術、光送受信デバイス、新機能デバイス、光モジュール・実装、光通信用LSI、一般 (ECOC報告) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2015-10-OPE-LQE-OCS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InP(001)微傾斜基板上における多重積層InAs量子ドットレーザの諸特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characteristics of highly stacked InAs quantum-dot laser grown on vicinal (001)InP substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / quantum dot  
キーワード(2)(和/英) 歪補償 / strain-compensation  
キーワード(3)(和/英) 特性温度 / characteristic temperature  
キーワード(4)(和/英) 微傾斜基板 / vicinal substrate  
キーワード(5)(和/英) 分子線エピタキシー / molecular beam epitaxy  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ
第1著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅沢 俊匡 / Toshimasa Umezawa / ウメザワ トシマサ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松本 敦 / Atsushi Matsumoto / マツモト アツシ
第3著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ
第4著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-10-30 11:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 OCS2015-73, OPE2015-123, LQE2015-92 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.276(OCS), no.277(OPE), no.278(LQE) 
ページ範囲 pp.159-162 
ページ数
発行日 2015-10-22 (OCS, OPE, LQE) 


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