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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-10-30 10:50 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 ○今泉文伸・後藤哲也・寺本章伸・須川成利（東北大）  SDM2015-78 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-78 |
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| 抄録 | （和） | 将来の強誘電体メモリ、センサー、太陽電池に有効であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組み合わせて成膜した。酸素ラジカル処理は、マイクロ波励起高密度プラズマを用いて処理を行った。ラジカル酸化処理を用いてBFO膜の結晶化温度を350℃以下に下げることに成功した。XRD測定からBFOの（110）方向のピークを比較すると、酸素ラジカル処理後に350℃ポストアニールを行った（110）ピーク強度は、酸素ラジカル処理を行わず500℃のポストアニールを行った場合と比べて4倍のピーク強度を得ることができた。また、XRDとXPSの測定結果から、酸素ラジカル処理がBFOの初期核生成や酸素欠損に起因する欠陥の減少に非常に有効であることがわかった。 |
| （英） | Oxygen radical treatment was applied to sputter-deposited BiFeO3 (BFO) thin film which is expected to be used for ferroelectric memories, sensors and solar cells. The oxygen radicals were produced by a microwave excited high-density Kr/O2 plasma. It was found from X-ray diffraction (XRD) that the crystallization temperature of the BFO film could be reduced to 350 °C by applying the oxygen radical treatment before the annealing. The (110) peak area which shows the crystallinity of BFO was by 4 times than that of the BFO film annealed at 500 °C without the oxygen radical treatment. From results of XRD and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), the stoichiometry was dramatically improved and this suggests that the oxygen radical treatment effectively creates the nucleation sites of BiFeO3 and reduces oxygen vacancy defects. Keywords Ferroelectric material, BFO film, Radical Oxidation | |
| キーワード | （和） | 強誘電体材料 / BFO薄膜 / ラジカル酸化 / / / / / |
| （英） | Ferroelectric material / BFO film / radical Oxidation / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 280, SDM2015-78, pp. 41-44, 2015年10月. | |
| 資料番号 | SDM2015-78 | |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-78 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-78 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-10-29 - 2015-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric BiFeO3 Formation with Oxigen Radical Treatment |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 強誘電体材料 / Ferroelectric material |
| キーワード(2)（和/英） | BFO薄膜 / BFO film |
| キーワード(3)（和/英） | ラジカル酸化 / radical Oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi / イマイズミ フミノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 哲也 / Tetsuya Goto / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-10-30 10:50:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-78 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.280 |
| ページ範囲 | pp.41-44 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
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