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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-05 10:00 ［招待講演］半導体における不純物拡散モデリングの現状 ○植松真司（慶大）  SDM2015-84 |
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| 抄録 | （和） | CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また、材料もSiのみならず、Ge、SiGe、さらには、パワーデバイスへの応用に向けてSiCと、その対象はより広くなっている。本講演では、このような状況の中、不純物拡散モデリングが今どこまで進んでいるのか、その現状について概説する。 |
| （英） | With the scaledown of CMOS devices, it is crucial to establish a diffusion model to accurately predict impurity diffusion in semiconductors. In addition, impurity diffusion not only in Si but also in various base materials, such as, Ge, SiGe, and SiC, should be extensively studied with recent progresses in semiconductor devices. The current status of impurity diffusion modeling in these semiconductors is reviewed in this article. | |
| キーワード | （和） | 半導体プロセス / 不純物拡散 / 拡散モデリング / 点欠陥 / 拡散シミュレーション / / / |
| （英） | Semiconductor Processes / Impurity Diffusion / Diffusion Modeling / Point Defects / Diffusion Simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 292, SDM2015-84, pp. 1-6, 2015年11月. | |
| 資料番号 | SDM2015-84 | |
| 発行日 | 2015-10-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-84 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-11-05 - 2015-11-06 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, and Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半導体における不純物拡散モデリングの現状 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Status of Impurity Diffusion Modeling in Semiconductors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体プロセス / Semiconductor Processes |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物拡散 / Impurity Diffusion |
| キーワード(3)（和/英） | 拡散モデリング / Diffusion Modeling |
| キーワード(4)（和/英） | 点欠陥 / Point Defects |
| キーワード(5)（和/英） | 拡散シミュレーション / Diffusion Simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 植松 真司 / Masashi Uematsu / ウエマツ マサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 (略称： 慶大) Keio Universiy (略称： Keio Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第2著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-05 10:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-84 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-10-29 (SDM) |
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