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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-06 11:00 ［招待講演］歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション ○相馬聡文・田中未来・市原圭祐・迫田翔太郎・笹岡健二・小川真人（神戸大）  SDM2015-89 |
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| 抄録 | （和） | シリコンMOSFETの微細化に伴う発熱等の問題を克服するために，新材料，新構造， 新制御機構が様々に提案されている．本論文では，歪み印加グラフェンを利用した 低消費電力型素子の可能性に注目したシミュレーション研究について述べる．グラフェンのフェルミエネルギー付近の電子はバンドギャップを持たない質量ゼロのディラック電子としての振る舞うが，局所的な歪みを印加する事で，このディラック電子の円錐状バンドが波数空間で変位する．その効果(擬似磁場効果)を利用する事で，バンドギャップが存在しないにも係らず，バンド間トンネルFETに類似した急峻なスイッチング(60mV/decadeを下回るS値)が可能になる．このようなディラック電子エンジニアリングを用いたグラフェン素子のシミュレーション手法及び結果について，原子論的シミュレーション，有効方程式モデル両方の観点から述べる． |
| （英） | MOSFET has been scaled down according to the Moore's law. As the channel length gets close to the nanometer-size, however, various kinds of leakage current are generated, and the heat caused from such leakage current becomes a critical problem. To solve this problem, it is necessary to make a channel material that has the channel length of nanoscale and small amount of leak current. At the same time, steep switching characteristic [i.e. lower subthreshold slope (SS)] is desired. In this paper, we present our simulation study of the electronic transport in field effect transistors based on the strained graphene, where the engineering of Dirac-type electron enables us to obtain sub 60 mV/decade SS. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / 歪み / 擬似磁場効果 / ディラック電子 / シミュレーション / / / |
| （英） | graphene / strain / pseudo magnetic field / Dirac electron / simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 292, SDM2015-89, pp. 29-34, 2015年11月. | |
| 資料番号 | SDM2015-89 | |
| 発行日 | 2015-10-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-89 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-11-05 - 2015-11-06 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, and Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of Dirac Electron Engineering Device Using Strained Graphene |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 歪み / strain |
| キーワード(3)（和/英） | 擬似磁場効果 / pseudo magnetic field |
| キーワード(4)（和/英） | ディラック電子 / Dirac electron |
| キーワード(5)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 相馬 聡文 / Satofumi Souma / ソウマ サトフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 未来 / Miku Tanaka / タナカ ミク |
| 第2著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市原 圭祐 / Keisuke Ichihara / イチハラ ケイスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 迫田 翔太郎 / Shotaro Sakoda / サコダ ショウタロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 笹岡 健二 / Kenji Sasaoka / ササオカ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 真人 / Matsuto Ogawa / オガワ マツト |
| 第6著者 所属（和/英） | 神戸大学 (略称： 神戸大) Kobe University (略称： Kobe Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-06 11:00:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-89 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.29-34 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-10-29 (SDM) |
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