| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-06 14:30 ［招待講演］界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について ○酒井 敦・永久克己・園田賢一郎（ルネサス エレクトロニクス）・久田賢一・新井耕一・山本陽一（ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング）・谷沢元昭・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）  SDM2015-91 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-91 |
|
| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 292, SDM2015-91, pp. 39-43, 2015年11月. | |
| 資料番号 | SDM2015-91 | |
| 発行日 | 2015-10-29 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-91 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-91 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2015-11-05 - 2015-11-06 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, and Circuit Simulation, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-11-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 界面準位が4H-SiC MOSFETのスイッチング動作に与える影響について |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impacts of the 4H-SiC/SiO2 Interface States on the Switching Operation of Power MOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 敦 / Atsushi Sakai / サカイ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永久 克己 / Katsumi Eikyu / エイキュウ カツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園田 賢一郎 / Kenichiro Sonoda / ソノダ ケンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久田 賢一 / Kenichi Hisada / ヒサダ ケンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング (略称： ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング) Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation (略称： RSMC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新井 耕一 / Koichi Arai / アライ コウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング (略称： ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング) Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation (略称： RSMC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 陽一 / Yoichi Yamamoto / ヤマモト ヨウイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | ルネサスセミコンダクタマニュファクチャリング (略称： ルネサス セミコンダクタ マニュファクチャリング) Renesas Semiconductor Manufacturing Corporation (略称： RSMC) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷沢 元昭 / Motoaki Tanizawa / タニザワ モトアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi / ヤマグチ ヤスオ |
| 第8著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス (略称： ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation (略称： REL) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-06 14:30:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-91 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.292 |
| ページ範囲 | pp.39-43 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-10-29 (SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]