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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-26 11:20 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 ○安井大貴・三宅秀人・平松和政（三重大）・岩谷素顕・赤崎 勇（名城大）・天野 浩（名大）  ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 |
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| 抄録 | （和） | AlN（窒化アルミニウム）はワイドバンドギャップ半導体であり，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外域の発光・受光デバイスの基板として注目されている．高性能なデバイス作製のためにはAlNの高品質化が必要であり，近年では結晶成長技術に伴い高品質なAlN基板が昇華法等で作製されているが，高価で基板サイズに課題である．一方，SapphireはAlN成長用の基板として用いた場合には，高密度の貫通転位が形成される課題があるが，比較的大口径の基板が作製可能且つ，安価であることから実用化に適している．本研究では，装置コストが安価で大口径なテンプレート作製が可能であるスパッタ法に着目し，Sapphire上にAlNをスパッタ法で堆積し，これを基板に用いてHVPE法によりAlNの厚膜成長やアニールを行いAlNの高品質化を目指した． |
| （英） | AlN (Aluminum nitride) is promising for deep ultraviolet optoelectronic devices. High crystal quality free-standing AlN substrates are obtained in recent year by PVT (physical vapor transport). Nevertheless, it is difficult to fabricate low cost of AlN substrates with large diameter by PVT. Large diameter with reasonable price for commercial of AlN templates can achieve by using sapphire substrates. However, high density of threading dislocations exists in AlN templates and will lower the performance of devices. In this research, we focus on sputtering growth method, which can easily fabricate AlN films on sapphire substrate as templates, and high crystal quality of AlN films are obtained to grow AlN on sputtering AlN templates by HVPE (hydride vapor phase epitaxy). | |
| キーワード | （和） | HVPE / AlN / AlN/Sapphire / スパッタ / / / / |
| （英） | HVPE / AlN / AlN/Sapphire / Sputtering / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-102, pp. 11-14, 2015年11月. | |
| 資料番号 | LQE2015-102 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlN growth on AlN/Sapphire substrate by RF-HVPE |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | HVPE / HVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN/Sapphire / AlN/Sapphire |
| キーワード(4)（和/英） | スパッタ / Sputtering |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 大貴 / Daiki Yasui / |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki / |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-26 11:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2015-70, CPM2015-105, LQE2015-102 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.11-14 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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