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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-26 15:05
[招待講演]AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価
秩父重英東北大)・三宅秀人平松和政三重大ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108
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文献情報 信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-108, pp. 43-48, 2015年11月.
資料番号 LQE2015-108 
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2015-11-26 - 2015-11-27 
開催地(和) 大阪市立大学・学術情報センター会議室 
開催地(英) Osaka City University Media Center 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2015-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies on Si-doped high AlN mole fraction AlxGa1-xN multiple quantum wells grown on an AlN epitaxial templates 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 秩父 重英 / Shigefusa Chichibu / チチブ シゲフサ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku U.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 三宅 秀人 / Hifdeto Miyake / ミヤケ ヒデト
第2著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie-U)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ
第3著者 所属(和/英) 三重大学 (略称: 三重大)
Mie University (略称: Mie-U)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-11-26 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2015-76, CPM2015-111, LQE2015-108 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.43-48 
ページ数
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 


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