| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-26 14:25 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）  ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
|
| 抄録 | （和） | 低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybrid-junction diode）を新規に開発したので報告する。GaN THDの立ち上がり電圧は従来報告されているGaNショットキーバリアダイオード（SBD :Schottky barrier diode）と同等の0.8 Vであり、かつ順方向電流密度は印加電圧10 Vにおいて9.0 kA / cm2と、 GaN SBDの電流密度4.4 kA / cm2に対し約2倍の大電流、かつ逆方向耐圧1.6 kVを示した。 |
| （英） | A GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) on a GaN substrate with a high current and low threshold voltage is presented. Turn-on voltages in the GaN THD and GaN Schottky barrier diode (SBD) are 0.8 V. A current density in the GaN THD of 9.0 kA / cm2 at 10 V is almost twice as that in the GaN SBD of 4.4 kA / cm2 10 V. A breakdown voltage of the GaN THD is 1.6 kV. | |
| キーワード | （和） | 窒化ガリウム / GaN / JBSダイオード / MPSダイオード / ショットキーバリアダイオード / / / |
| （英） | Gallium Nitride / Schottky barrier diode / PN junction diode / JBS (Junction barrier Schottky) Diode / MPS (Merged PiN Schottky) Diode / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 329, ED2015-75, pp. 39-42, 2015年11月. | |
| 資料番号 | ED2015-75 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A high current operation in a 1.6 kV GaN-based trench hybrid-junction diode (THD) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / Schottky barrier diode |
| キーワード(3)（和/英） | JBSダイオード / PN junction diode |
| キーワード(4)（和/英） | MPSダイオード / JBS (Junction barrier Schottky) Diode |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキーバリアダイオード / MPS (Merged PiN Schottky) Diode |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶谷 亮 / Ryo Kajitani / カジタニ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 半田 浩之 / Hiroyuki Handa / ハンダ ヒロユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇治田 信二 / Shinji Ujita / ウジタ シンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴田 大輔 / Daisuke Shibata / シバタ ダイスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 雅弘 / Masahiro Ogawa / オガワ マサヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 健一郎 / Kenichiro Tanaka / タナカ ケンイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida / イシダ ヒデトシ |
| 第7著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 聡之 / Satoshi Tamura / タムラ サトシ |
| 第8著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 昌宏 / Masahiro Ishida / イシダ マサヒロ |
| 第9著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第10著者 所属（和/英） | パナソニック株式会社 (略称： パナソニック) Panasonic Corp. (略称： Panasonic) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-26 14:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-75, CPM2015-110, LQE2015-107 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]