| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-26 10:55 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール ○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政（三重大）・福山博之（東北大）  ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 |
|
| 抄録 | （和） | AlNはワイドギャップ半導体で，熱及び化学的特性が安定であることから，深紫外光デバイス材料として注目されている．高効率なデバイスの実現にはサファイア上への高品質なAlNエピタキシャル成長膜が必要である．サファイア上AlN成長では，サファイアの表面ステップ構造に起因して高密度な刀状転位が発生する問題があるため，サファイアとAlNの界面の制御が不可欠である．本研究では，サファイア基板の微傾斜角度やサーマルクリーニング条件を変化させて，サファイア上に形成されるAlNの結晶性やドメイン構造を制御し，AlNの高品質化を目指した．サファイア基板の微傾斜角度の増加につれて，AlNの(0002)面のXRC半値幅は悪化する傾向であったが，(10-12)面のXRC半値幅は改善するという結果となった．これらのXRC半値幅の変化は，サファイア基板の表面ステップ構造に起因することが確認された． |
| （英） | AlN is promising for applications in the deep ultraviolet region because of its wide direct band-gap and excellent thermal and chemical stabilities. High quality AlN epitaxial film on sapphire substrates is necessary for obtaining high efficiency devices. The control of interface between AlN and sapphire substrate is important， because high density of edge-type dislocation will generate in AlN films which cause by uniformity of sapphire step structure. In this work， we changed thermal cleaning temperature and misoriented c-plane sapphire to control of crystallinity and domain structure of AlN. As misoriented angle being increased， the FWHM of XRC(0002) plane tended to deteriorate， but the FWHM of XRC(10-12) plane improve. It was demonstrated that the change of these XRC FWHM was caused by surface step structure of sapphire substrates. | |
| キーワード | （和） | AlN / MOVPE / アニール / N2-CO / サファイア / / / |
| （英） | AlN / MOVPE / annealing / N2-CO / sapphire / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-101, pp. 5-9, 2015年11月. | |
| 資料番号 | LQE2015-101 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of AlN with annealing on different misoriented c-plane sapphire |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | アニール / annealing |
| キーワード(4)（和/英） | N2-CO / N2-CO |
| キーワード(5)（和/英） | サファイア / sapphire |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 周平 / Shuhei Suzuki / スズキ シュウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 家弘 / Chia-Hung Lin / リン チャホン |
| 第2著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
| 第3著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重大学 (略称： 三重大) Mie University (略称： Mie Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福山 博之 / Hiroyuki Fukuyama / フクヤマ ヒロユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-26 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2015-69, CPM2015-104, LQE2015-101 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.5-9 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]