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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-27 15:00
スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価
野中翔一郎古川昭雄東京理科大)・牧田紀久夫水野英範菅谷武芳仁木 栄産総研ED2015-88 CPM2015-123 LQE2015-120
抄録 (和) 多接合太陽光電池は、バンドギャップの異なるセルを多重に重ね、太陽光スペクトルを有効活用することにより高効率を得る太陽電池である。我々は、これまでその製法としてPdナノ粒子を接合界面に導入したスマートスタック技術を開発[1]、GaAs/InP系4接合太陽電池で効率31.6%[2]、GaAs/CIGS系3接合太陽電池で効率24.2%[3]を実証してきた。本誌では、スマートスタックによる接合界面の知見を得るため、セル間の接合抵抗に注視し、接合過程におけるプラズマ時間の変化による抵抗依存性や低抵抗化のメカニズムを評価・検討したので報告する。 
(英) Multi-junction solar cell have high efficiency with the combination of different cells. We developed new fabrication method, “Smart Stacking Technology”, which integrates Pd nanoparticles at the bonding interfaces. Using this technology, a GaAs/InP 4-junction solar cell with 31.6% efficiency and a GaAs/CuInGaSe 3-junction solar cell with 24.2% efficiency have been reported. In this paper, we focus on bonding resistance to gain knowledge of “Smart Stacking Technology” and examine the mechanism of reducing bonding resistance.
キーワード (和) 多接合太陽電池 / 接合抵抗 / 接合技術 / ナノ粒子 / GaAs / Pd / /  
(英) Multi-junction solar cells / Junction resistance / Bonding technology / Nanoparticle / GaAs / Pd / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 329, ED2015-88, pp. 101-104, 2015年11月.
資料番号 ED2015-88 
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-88 CPM2015-123 LQE2015-120

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2015-11-26 - 2015-11-27 
開催地(和) 大阪市立大学・学術情報センター会議室 
開催地(英) Osaka City University Media Center 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) スマートスタック技術による多接合太陽電池の接合界面評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of the bonding interface of multi-junction solar cell according to smart stack technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 多接合太陽電池 / Multi-junction solar cells  
キーワード(2)(和/英) 接合抵抗 / Junction resistance  
キーワード(3)(和/英) 接合技術 / Bonding technology  
キーワード(4)(和/英) ナノ粒子 / Nanoparticle  
キーワード(5)(和/英) GaAs / GaAs  
キーワード(6)(和/英) Pd / Pd  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野中 翔一郎 / Shoichiro Nonaka / ノナカ ショウイチロウ
第1著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Science)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 昭雄 / Akio Furukawa / フルカワ アキオ
第2著者 所属(和/英) 東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Science)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧田 紀久夫 / Kikuo Makita / マキタ キクオ
第3著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 水野 英範 / Hidenori Mizuno / ミズノ ヒデノリ
第4著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅谷 武芳 / Takeyoshi Sugaya / スガヤ タケヨシ
第5著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 仁木 栄 / Shigeru Niki / ニキ シゲル
第6著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-11-27 15:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2015-88, CPM2015-123, LQE2015-120 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.101-104 
ページ数
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 


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