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| 講演名 | 2015-11-27 15:25 GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 ○柴 麗・梁 剣波・重川直輝（阪市大）  ED2015-89 CPM2015-124 LQE2015-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-89 CPM2015-124 LQE2015-121 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
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| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 329, ED2015-89, pp. 105-110, 2015年11月. | |
| 資料番号 | ED2015-89 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-89 CPM2015-124 LQE2015-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-89 CPM2015-124 LQE2015-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of annealing on the electrical characteristics of GaAs/GaAs junctions |
| サブタイトル（英） | |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柴 麗 / Li Chai / |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梁 剣波 / Jianbo Liang / |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 重川 直輝 / Naoteru Shigekawa / |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪市立大学 (略称： 阪市大) Osaka City University (略称： Osaka City Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-27 15:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-89, CPM2015-124, LQE2015-121 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.105-110 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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