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講演抄録/キーワード
講演名 2015-11-27 10:25
Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source
P.Pungboon PansilaKensaku KanomataBashir AhammadShigeru KubotaFumihiko HiroseYamagata UnivED2015-81 CPM2015-116 LQE2015-113
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) Temperature-controlled ALD of GaN on Si(100) is demonstrated with TMG and plasma-excited NH3. The TMG adsorption and its reaction with NH3 plasma are investigated by IR abosption spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. It is found that the TMG saturation has the highest adsorption density at RT and the plasma-excited NH3 is effective in nitriding adsorbed TMG at 115 °C. The temperature-controlled ALD for GaN films is performed using TMG adsorption at RT and the plasma-excited NH3 treatment at the substrate temperature of 115 °C. The deposition rate of 0.045 nm /cycle is obtained in the present method.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Gallium nitride / TMG / ammonia plasma / temperature-controlled ALD / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 329, ED2015-81, pp. 69-72, 2015年11月.
資料番号 ED2015-81 
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2015-81 CPM2015-116 LQE2015-113

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2015-11-26 - 2015-11-27 
開催地(和) 大阪市立大学・学術情報センター会議室 
開催地(英) Osaka City University Media Center 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2015-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using plasma-excited nitrogen source 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Gallium nitride  
キーワード(2)(和/英) / TMG  
キーワード(3)(和/英) / ammonia plasma  
キーワード(4)(和/英) / temperature-controlled ALD  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) パンシラ ポープンブン / P.Pungboon Pansila /
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata /
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata Univ)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 有馬 ボシルアハマド / Bashir Ahammad /
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata Univ)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保田 繁 / Shigeru Kubota /
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata Univ)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose /
第5著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata Univ (略称: Yamagata Univ)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-11-27 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2015-81, CPM2015-116, LQE2015-113 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) 
ページ範囲 pp.69-72 
ページ数
発行日 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) 


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