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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-27 11:40 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉（大陽日酸）・伊藤和宏（名工大）・生方映徳・田渕俊也・松本 功（大陽日酸）・江川孝志（名工大）  ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
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| 抄録 | （和） | 本調査では、成長条件が異なる２種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(SEM)にて表面ピットを観察し、X-ray diffractometry (XRD)にてAlNの結晶性を比較した。次に、評価したAlNをHEMT構造中の初期AlN層に適応させたSi基板上AlGaN/GaN HEMT構造を成長し、Transmission Electron Microscope(TEM)にてHEMT構造中の転位、Atomic Force Microscope(AFM)にてエピウエハの表面ピットを観察し、半導体パラメータアナライザにて縦方向リーク電流を測定した。その結果、HEMT構造の表面ピット密度は、初期AlN層の結晶性とHEMT構造の縦方向リーク電流と強い相関関係が認められた。HEMT構造の貫通転位は初期AlN層から発生しており、表面ピットを形成している転位は混合転位であった。これらの結果から、HEMT構造の混合転位が縦方向リーク電流の経路であると推測される。Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流減少のためには、初期AlN層の結晶性向上が有効であると考えられる。 |
| （英） | In this study, two types of single AlN on Si substrates were grown using different growth conditions. A scanning electron microscope (SEM) was used to compare the surface conditions, and X-ray diffractometry (XRD) was employed to determine the crystal quality. HEMT structures using each of the single AlN layers as an initial AlN layer were grown. Atomic Force Microscope (AFM) and Transmission Electron Microscope (TEM) were used to observe the surface and the dislocation of each of the HEMT samples. The vertical direction leakage current characteristics of each HEMT sample were measured using a semiconductor parameter analyzer. As a result, Surface pit density of the HEMT structure has strong correlation with a vertical direction leakage current of the HEMT structure and crystallinity of the initial AlN layer. Threading dislocations of the HEMT structure is generated from the initial AlN layer, dislocations forming the surface pits was mixed dislocations. From these results, it is presumed that a mixed dislocation of the HEMT structure is the path of the vertical direction leakage current. For the vertical direction leakage current reduction in the AlGaN / GaN HEMT structure on Si substrate, it is presumed that crystallinity improvement of the initial AlN layer is effective. | |
| キーワード | （和） | Si基板 / AlGaN/GaN HEMT / 縦方向リーク電流 / 初期AlN層 / / / / |
| （英） | Silicon substrate / AlGaN/GaN HEMT / the vertical direction leakage current / initial AlN layer / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-115, pp. 77-80, 2015年11月. | |
| 資料番号 | LQE2015-115 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dependence of the initial AlN layer of the vertical direction leakage current of the AlGaN/GaN HEMT structure on Silicon substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si基板 / Silicon substrate |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 縦方向リーク電流 / the vertical direction leakage current |
| キーワード(4)（和/英） | 初期AlN層 / initial AlN layer |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山岡 優哉 / Yuya Yamaoka / ヤマオカ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corp. (略称： TNSC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 和宏 / Kazuhiro Ito / イトウ カズヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生方 映徳 / Akinori Ubukata / ウブカタ アキノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corp. (略称： TNSC) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田渕 俊也 / Toshiya Tabuchi / タブチ トシヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corp. (略称： TNSC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 功 / Koh Matsumoto / マツモト コウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大陽日酸株式会社 (略称： 大陽日酸) Taiyo Nippon Sanso Corp. (略称： TNSC) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-27 11:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2015-83, CPM2015-118, LQE2015-115 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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