講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-11-27 11:40
Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性 ○山岡優哉(大陽日酸)・伊藤和宏(名工大)・生方映徳・田渕俊也・松本 功(大陽日酸)・江川孝志(名工大) ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115 |
抄録 |
(和) |
本調査では、成長条件が異なる2種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(SEM)にて表面ピットを観察し、X-ray diffractometry (XRD)にてAlNの結晶性を比較した。次に、評価したAlNをHEMT構造中の初期AlN層に適応させたSi基板上AlGaN/GaN HEMT構造を成長し、Transmission Electron Microscope(TEM)にてHEMT構造中の転位、Atomic Force Microscope(AFM)にてエピウエハの表面ピットを観察し、半導体パラメータアナライザにて縦方向リーク電流を測定した。その結果、HEMT構造の表面ピット密度は、初期AlN層の結晶性とHEMT構造の縦方向リーク電流と強い相関関係が認められた。HEMT構造の貫通転位は初期AlN層から発生しており、表面ピットを形成している転位は混合転位であった。これらの結果から、HEMT構造の混合転位が縦方向リーク電流の経路であると推測される。Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流減少のためには、初期AlN層の結晶性向上が有効であると考えられる。 |
(英) |
In this study, two types of single AlN on Si substrates were grown using different growth conditions. A scanning electron microscope (SEM) was used to compare the surface conditions, and X-ray diffractometry (XRD) was employed to determine the crystal quality. HEMT structures using each of the single AlN layers as an initial AlN layer were grown. Atomic Force Microscope (AFM) and Transmission Electron Microscope (TEM) were used to observe the surface and the dislocation of each of the HEMT samples. The vertical direction leakage current characteristics of each HEMT sample were measured using a semiconductor parameter analyzer. As a result, Surface pit density of the HEMT structure has strong correlation with a vertical direction leakage current of the HEMT structure and crystallinity of the initial AlN layer. Threading dislocations of the HEMT structure is generated from the initial AlN layer, dislocations forming the surface pits was mixed dislocations. From these results, it is presumed that a mixed dislocation of the HEMT structure is the path of the vertical direction leakage current. For the vertical direction leakage current reduction in the AlGaN / GaN HEMT structure on Si substrate, it is presumed that crystallinity improvement of the initial AlN layer is effective. |
キーワード |
(和) |
Si基板 / AlGaN/GaN HEMT / 縦方向リーク電流 / 初期AlN層 / / / / |
(英) |
Silicon substrate / AlGaN/GaN HEMT / the vertical direction leakage current / initial AlN layer / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 331, LQE2015-115, pp. 77-80, 2015年11月. |
資料番号 |
LQE2015-115 |
発行日 |
2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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PDFダウンロード |
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