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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-11-27 11:15 ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 ○西野剛介・久保俊晴・江川孝志（名工大）  ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流を抑えるためには、ゲート部分を金属/絶縁膜/半導体(MIS)とした構造が有効である。MIS構造の絶縁膜として我々はこれまで酸素プリカーサーとして水及びオゾンを用いてAl2O3膜を成膜し、比較的良いI-V特性を得た。今回は絶縁膜として高誘電率材料であるHfO2に着目し、水とオゾンを用いたALD成膜によりMIS-HEMTを作製し、そのI-V特性と界面準位の評価を行った。またHfO2/AlGaN界面におけるXPS分析による評価も行った。成膜されたHfO2からは誘電率が約24と高い値が得られた。HfO2をゲート絶縁膜とすることによりゲートリーク電流は低減された。 |
| （英） | We previously reported that MIS-HEMTs with Al2O3 fabricated by ALD using both H2O and O3 as oxygen precursors showed good current-voltage(I-V) characteristics. In this paper HfO2 was focused as an insulator in AlGaN/GaN MIS structure. HfO2 was deposited by ALD using both H2O and O3 as oxygen precursors, and I-V characteristics and interface states of MIS-HEMTs were evaluated. We also evaluated X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectrum of HfO2/AlGaN interfaces. Dielectric constant of the HfO2 was about 24. Large suppression of gate leakage current was obtained by using HfO2 as the gate insulator. | |
| キーワード | （和） | GaN / MIS / ALD / insulator / HfO2 / / / |
| （英） | GaN / MIS / ALD / insulator / HfO2 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 329, ED2015-82, pp. 73-76, 2015年11月. | |
| 資料番号 | ED2015-82 | |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED LQE CPM |
| 開催期間 | 2015-11-26 - 2015-11-27 |
| 開催地（和） | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
| 開催地（英） | Osaka City University Media Center |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-11-ED-LQE-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface states and device characteristics of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with HfO2 fabricated by atomic layer deposition |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MIS / MIS |
| キーワード(3)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(4)（和/英） | insulator / insulator |
| キーワード(5)（和/英） | HfO2 / HfO2 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西野 剛介 / Gosuke Nishino / ニシノ ゴウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo / クボ トシハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江川 孝志 / Takashi Egawa / エガワ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-11-27 11:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-82, CPM2015-117, LQE2015-114 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.329(ED), no.330(CPM), no.331(LQE) |
| ページ範囲 | pp.73-76 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-11-19 (ED, CPM, LQE) |
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