講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-12-02 17:10
論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 ○小出知明・石橋孝一郎(電通大)・杉井信之(超低電圧デバイス技研組合) CPM2015-134 ICD2015-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-134 ICD2015-59 |
抄録 |
(和) |
近年、トランジスタの微細化が進んだことに伴い動作時の電力増加が課題になっている。本研究では65nmSOTB(Silicon on Thin Buried oxide) CMOSプロセスを使用し、論理閾値を1/2 VDD に収束させるための閾値制御機能および温度上昇によるリーク電流の増加を抑制する機能を持つ基板バイアス発生回路(VBBOP)を開発した。本回路を用いることで論理回路の消費電力を最大43.8%削減することをシミュレーションにより明らかにした。また、実測において電源電圧0.5V以上ではVBBOPが動作することを確認した。これにより、SOTBプロセスにより論理LSIの低電力動作の見込みを得た。 |
(英) |
The leakage has been increasing by miniaturization of the transistor in recently year. Adaptive body bias generator with controlled threshold voltage and leakage current using 65nm SOTB (Silicon on Thin Buried oxide) CMOS process is present this paper. Using this propose circuit, the power consumption at the minimum operating point of the logic circuit was obtained by simulation to be reduced by up to 43.8%. In measurement, it was confirmed that it outputs a constant voltage in the power supply voltage 0.5V or more. |
キーワード |
(和) |
基板バイアス技術 / 極低電力動作 / SOTBデバイス / / / / / |
(英) |
Body bias / Ultra-low power / SOTB process cmos / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 341, ICD2015-59, pp. 39-43, 2015年12月. |
資料番号 |
ICD2015-59 |
発行日 |
2015-11-24 (CPM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2015-134 ICD2015-59 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2015-134 ICD2015-59 |
研究会情報 |
研究会 |
VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM |
開催期間 |
2015-12-01 - 2015-12-03 |
開催地(和) |
長崎県勤労福祉会館 |
開催地(英) |
Nagasaki Kinro Fukushi Kaikan |
テーマ(和) |
デザインガイア2015 -VLSI設計の新しい大地- |
テーマ(英) |
Design Gaia 2015 -New Field of VLSI Design- |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2015-12-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
論理回路の極低電力動作を実現する基板バイアス発生回路 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
The adaptive body bias generator for achieving the ultra-low power operation of the logic circuit |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
基板バイアス技術 / Body bias |
キーワード(2)(和/英) |
極低電力動作 / Ultra-low power |
キーワード(3)(和/英) |
SOTBデバイス / SOTB process cmos |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
小出 知明 / Tomoaki Koide / コイデ トモアキ |
第1著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
石橋 孝一郎 / Kouichirou Ishibashi / イシバシ コウイチロウ |
第2著者 所属(和/英) |
電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
杉井 信之 / Nobuyuki Sugi / |
第3著者 所属(和/英) |
超低電圧デバイス技術研究組合 (略称: 超低電圧デバイス技研組合)
Low Power Electronics Association & Project (略称: LEAP) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2015-12-02 17:10:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
CPM2015-134, ICD2015-59 |
巻番号(vol) |
vol.115 |
号番号(no) |
no.340(CPM), no.341(ICD) |
ページ範囲 |
pp.39-43 |
ページ数 |
5 |
発行日 |
2015-11-24 (CPM, ICD) |