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講演抄録/キーワード
講演名 2015-12-02 15:55
15nmプロセスにおける低電力な耐ソフトエラーラッチの設計
田島咲季史 又華戸川 望柳澤政生早大VLD2015-56 DC2015-52
抄録 (和) 近年の微細化により,ソフトエラーによる信頼性低下が問題視されている.
従来,DICEやフリップフロップの多重化といった耐ソフトエラー技術が提案されてきた.
電力制約はさらに厳しさをます中,低電力で高耐性をもつ技術の研究が急務となっている.
本研究では,低電力な耐ソフトエラーラッチであるNew-SEHラッチをNCSU15nmのPDKを用い,実装・評価を行う.
SEHラッチと比較し,最大で84.39%の電力削減効果を達成した. 
(英) In recent technology scaling, reliability of integrated circuits due to a soft error is becoming more critical than ever before.
In literature, several soft error tolerant techniques have been proposed.
However due to the power constraints, new techniques for high-tolerant and low-power are needed.
In this paper, we propose a New-SEH latch design, and implement it in NCSU 15nm technology.
The simulation results show that the proposed latch obtains up to 84.39$%$ power reduction compared to SEH latch.
キーワード (和) 消費電力 / 耐ソフトエラーラッチ / Soft Error Hardened (SEH)ラッチ / ソフトエラー / / / /  
(英) Power / Soft Error Hardened (SEH) Latch / Soft error / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 338, VLD2015-56, pp. 123-127, 2015年12月.
資料番号 VLD2015-56 
発行日 2015-11-24 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2015-56 DC2015-52

研究会情報
研究会 VLD DC IPSJ-SLDM CPSY RECONF ICD CPM  
開催期間 2015-12-01 - 2015-12-03 
開催地(和) 長崎県勤労福祉会館 
開催地(英) Nagasaki Kinro Fukushi Kaikan 
テーマ(和) デザインガイア2015 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2015 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2015-12-VLD-DC-SLDM-CPSY-RECONF-ICD-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 15nmプロセスにおける低電力な耐ソフトエラーラッチの設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A low-power soft error tolerant latch scheme on 15nm process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 消費電力 / Power  
キーワード(2)(和/英) 耐ソフトエラーラッチ / Soft Error Hardened (SEH) Latch  
キーワード(3)(和/英) Soft Error Hardened (SEH)ラッチ / Soft error  
キーワード(4)(和/英) ソフトエラー /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田島 咲季 / Saki Tajima / タジマ サキ
第1著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 史 又華 / Youhua Shi / シ ヨウカ
第2著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 戸川 望 / Nozomu Togawa / トガワ ノゾム
第3著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 柳澤 政生 / Masao Yanagisawa / ヤナギサワ マサオ
第4著者 所属(和/英) 早稲田大学 (略称: 早大)
Waseda University (略称: Waseda Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-12-02 15:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 VLD 
資料番号 VLD2015-56, DC2015-52 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.338(VLD), no.339(DC) 
ページ範囲 pp.123-127 
ページ数
発行日 2015-11-24 (VLD, DC) 


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