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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-14 15:00 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性 ○西村勇哉・原 明人（東北学院大）  EID2015-19 SDM2015-102 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 363, SDM2015-102, pp. 43-47, 2015年12月. | |
| 資料番号 | SDM2015-102 | |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2015-19 SDM2015-102 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM |
| 開催期間 | 2015-12-14 - 2015-12-14 |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2015-12-EID-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス上の自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFTの特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Metal Double Gate Low-Temperature Poly-Ge TFT with Thin Channel Layer on a Glass Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西村 勇哉 / Yuya Nishimura / ニシムラ ユウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-14 15:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2015-19, SDM2015-102 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.362(EID), no.363(SDM) |
| ページ範囲 | pp.43-47 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |
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