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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-14 11:00 高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製 ○小尻尚志・諏訪智之・橋本圭市・寺本章伸・黒田理人・須川成利（東北大）  EID2015-9 SDM2015-92 |
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| 抄録 | （和） | 新規に開発したSiNxエッチングガス（SSY525:日本ゼオン製プロトタイプ）のエッチング基礎特性評価を行った．その結果，SSY525はPoly-Siに対し30～60，SiO2に対しては100以上の選択比をもち，選択性に優れたエッチングガスであることが示された．本研究では，高い選択比をもつエッチング技術が望まれている3次元構造Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)の代表例の一つであるFinFETに注目し，FinFETのゲートスペーサーエッチングにおいてSSY525を導入しFinFETの構造を試作した．その結果，SSY525を用いることで，従来のCH3Fと比較して優れた形状のFinFETを作製することができた． |
| （英） | We evaluated the properties of newly developed SiNx etch gas (SSY525). The gas indicated high selectivity as 30 ~ 60 for Poly-Si, and over 100 for SiO2, respectively. We introduced SSY525 to fabricate the FinFET which is the typical structure of Three Dimensional Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (3D-MOSFETs) and requires the high selectivity etching for the fabrication process. The 3D structure of FinFET fabricated by the etching process with SSY525 is superior to that with the CH3F gas which is conventionally used for the SiNx etching. | |
| キーワード | （和） | FinFET / スペーサーエッチ / エッチングガス / / / / / |
| （英） | FinFET / Spacer Etch / Etching Gas / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 362, EID2015-9, pp. 1-4, 2015年12月. | |
| 資料番号 | EID2015-9 | |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2015-9 SDM2015-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM |
| 開催期間 | 2015-12-14 - 2015-12-14 |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | Ryukoku University, Avanti Kyoto Hall |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | Si and Si-related Materials and Devices, and Display Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EID |
| 会議コード | 2015-12-EID-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高い選択比をもつSiNxエッチングガスを用いたFinFET構造の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of FinFET Structure with High Selectivity Etching Using Newly Developed SiNx Etch Gas |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(2)（和/英） | スペーサーエッチ / Spacer Etch |
| キーワード(3)（和/英） | エッチングガス / Etching Gas |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小尻 尚志 / Takashi Kojiri / コジリ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学/日本ゼオン株式会社 (略称： 東北大) Tohoku University/ZEON Corporation (略称： Tohoku Univ./ZEON) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 圭市 / Keiichi Hashimoto / ハシモト ケイイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-14 11:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | EID |
| 資料番号 | EID2015-9, SDM2015-92 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.362(EID), no.363(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-07 (EID, SDM) |
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