| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-17 16:00 ［ポスター講演］長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラーパターンの解析 ○高橋知紀・山﨑泉樹・竹内 健（中大）  ICD2015-77 CPSY2015-90 |
|
| 抄録 | （和） | NAND型フラッシュメモリはハードディスクや光ディスクといったストレージデバイスに比べ、アクセス速度やデータ密度の点で優れる。また、機械的な読み出し装置がなく耐久性に優れているため長期保存を実現するストレージとして期待されている。しかし、NAND型フラッシュメモリには、データ保持時間と書き変え回数の間にトレードオフの関係が存在する。そのため、アーカイブといった長期間のデータ保持が必要とされるアプリケーションでは、書き換え回数は少なく制限される。本論文では、1つのセルに3ビットの情報を記憶することができるTLC NAND型フラッシュメモリへの書き換え回数を少数回とした場合のエラーパターンの解析を行った。 |
| （英） | NAND flash memory has advantages of fast access speed and high density compared with other storage devices such as hard disk drive and optical disk. It is also highly durable because it does not include mechanical reader. Therefore, it is expected as a long-term data storage device. However, in NAND flash memory, reliability trade-off exists between data-retention (DR) time and write/erase (W/E) cycle. Thus, W/E is restricted in the long-term storage applications such as archive. This paper analyzes the error pattern when we apply low W/E cycles to Triple-level cell (TLC, 3bit /cell) NAND flash memory . | |
| キーワード | （和） | NAND型フラッシュメモリ / アーカイブ / / / / / / |
| （英） | NAND flash memory / archive / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 373, ICD2015-77, pp. 53-53, 2015年12月. | |
| 資料番号 | ICD2015-77 | |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2015-77 CPSY2015-90 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2015-12-17 - 2015-12-18 |
| 開催地（和） | 京都工芸繊維大学 |
| 開催地（英） | Kyoto Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2015-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 長期保存向けNAND型フラッシュメモリのエラーパターンの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Error Pattern Analysis of Long-Term Storage with NAND Flash Memory |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | アーカイブ / archive |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 知紀 / Tomonori Takahashi / タカハシ トモノリ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山﨑 泉樹 / Senju Yamazaki / ヤマザキ センジュ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-17 16:00:00 |
| 発表時間 | 100分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2015-77, CPSY2015-90 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.373(ICD), no.374(CPSY) |
| ページ範囲 | p.53 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]