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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-17 16:00 ［ポスター講演］TLC NAND型フラッシュメモリにおけるビットエラーの解析 ○出口慶明・徳冨 司・小林惇朗・竹内 健（中大）  ICD2015-75 CPSY2015-88 |
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| 抄録 | （和） | NAND型フラッシュメモリは1つのメモリセルに記録するビット数を増やすことで大容量化を実現している。中でも1つのメモリセルに対して3ビットのデータを記録するTLC NAND型フラッシュメモリは大容量である一方、読み出しマージンの減少に伴って信頼性が著しく低下する。また、NAND型フラッシュメモリは浮遊ゲートに電子を蓄えることによってデータを保存する。しかし、データの書き込みや消去を繰り返すと酸化膜内に電子を捕獲するトラップが生じ、浮遊ゲートからトラップを介して電子が抜け落ちやすくなる。本論文では書き換え回数の増加に伴って生じる、TLC NAND型フラッシュメモリにおけるビットエラーの解析を行った。 |
| （英） | The capacity of NAND flash memory can be expanded by increasing the bit density. In particular, 3-bit/cell triple-level cell (TLC) NAND flash has extremely high capacity, whereas the reliability is degraded drastically due to the narrower read margins. NAND flash memory can store the data by injecting electrons into the floating-gate. However, traps, which may capture electrons, are generated in the tunneling oxide as the write/erase cycle increases. As a result, electrons are ejected from the floating-gate via traps in tunneling oxide. This paper analyzes bit-errors of TLC NAND flash memory when write/erase cycle is increased. | |
| キーワード | （和） | ソリッド・ステート・ドライブ / NANDフラッシュメモリ / 信頼性 / / / / / |
| （英） | solid-state-drive / NAND flash memory / Reliability / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 373, ICD2015-75, pp. 49-49, 2015年12月. | |
| 資料番号 | ICD2015-75 | |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2015-75 CPSY2015-88 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD CPSY |
| 開催期間 | 2015-12-17 - 2015-12-18 |
| 開催地（和） | 京都工芸繊維大学 |
| 開催地（英） | Kyoto Institute of Technology |
| テーマ（和） | 学生・若手研究会 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2015-12-ICD-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | TLC NAND型フラッシュメモリにおけるビットエラーの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bit-Error Analysis in TLC NAND flash memories. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ソリッド・ステート・ドライブ / solid-state-drive |
| キーワード(2)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 慶明 / Yoshiaki Deguchi / デグチ ヨシアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳冨 司 / Tsukasa Tokutomi / トクトミ ツカサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 惇朗 / Atsuro Kobayashi / コバヤシ アツロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-17 16:00:00 |
| 発表時間 | 100分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2015-75, CPSY2015-88 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.373(ICD), no.374(CPSY) |
| ページ範囲 | p.49 |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2015-12-10 (ICD, CPSY) |
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