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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-18 09:50 窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション ○尾崎 智・山口敦史（金沢工大）・後藤裕輝・碓井 彰（古河機械金属）  LQE2015-123 |
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| 抄録 | （和） | 高出力用途の白色LED用の基板として、選択成長技術によって転位密度を低減したGaNテンプレート基板が注目されている。本報告では、このGaNテンプレート基板に内在する選択成長用SiO2マスクを回折格子として利用し、LEDの光取出し効率の向上にも役立てる手法を提案する。そして、電磁界解析シミュレーションにより、光取り出し効率向上のためにSiO2マスクの形状やサイズを最適化する指針を探った結果についても報告する。 |
| （英） | The efficiency droop phenomenon is a big problem for high-brightness white LEDs. It has been pointed out that the problem could be solved by the reduction of threading dislocation density in underlying GaN films (templates or substrates). Nano-channel facet-initiated epitaxial lateral overgrowth (nano-FIELO) technique has been developed as a low-cost fabrication method of such high-quality GaN templates. In this study, we have proposed that the SiO2 mask structures used for selective growth in the nano-FIELO GaN templates can also be useful for improving light extraction efficiency of LEDs, and we demonstratively optimized the mask structures (period, width, and thickness) by electromagnetic-field analysis simulation. | |
| キーワード | （和） | 窒化物半導体 / LED / 光取り出し効率 / FDTD / / / / |
| （英） | Nitride / Semiconductor / LED / Light extraction efficiency / FDTD / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 378, LQE2015-123, pp. 1-4, 2015年12月. | |
| 資料番号 | LQE2015-123 | |
| 発行日 | 2015-12-11 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2015-123 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2015-12-18 - 2015-12-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体レーザー関連技術および一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2015-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒化物半導体LEDの光取出し効率向上のための電磁界解析シミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electromagnetic-field analysis simulation for the improvement of light extraction efficiency in III-nitride LEDs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | LED / Semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | 光取り出し効率 / LED |
| キーワード(4)（和/英） | FDTD / Light extraction efficiency |
| キーワード(5)（和/英） | / FDTD |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾崎 智 / Satoshi Ozaki / オザキ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 敦史 / Atsushi A. Yamaguchi / ヤマグチ アツシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： Kanazawa Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 裕輝 / Hiroki Goto / ゴトウ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社 (略称： 古河機械金属) Furukawa Co., Ltd. (略称： Furukawa Co., Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 碓井 彰 / Akira Usui / ウスイ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 古河機械金属株式会社 (略称： 古河機械金属) Furukawa Co., Ltd. (略称： Furukawa Co., Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-18 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2015-123 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.378 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-12-11 (LQE) |
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