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講演抄録/キーワード
講演名 2015-12-18 10:50
[招待講演]GaNパワーデバイスとGaN集積回路の展開
永井秀一パナソニックICD2015-86 CPSY2015-99
抄録 (和) 近年、高速・高温で動作し、低損失特性に優れたGaNパワー半導体デバイスが注目されている。本論分では、GaNパワーデバイス技術の総括と、次世代パワーデバイスの優れた特性を最大に活かすための駆動技術について議論する。また、高周波特性を活かした最新の横型構造GaNパワーデバイス集積化技術について、ご紹介する。 
(英) A GaN power semiconductor device attacks great attention due to its high-speed and low loss operation under high temperature. In this paper, the advanced technologies of the GaN power device and the gate driver for exploiting these excellent properties are described. And, the advanced integration technologies of the GaN device and related circuits are reported.
キーワード (和) パワーデバイス / GaN / 駆動回路 / 集積回路 / / / /  
(英) Power Device / GaN / Gate Driver / IC / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 115, no. 373, ICD2015-86, pp. 83-85, 2015年12月.
資料番号 ICD2015-86 
発行日 2015-12-10 (ICD, CPSY) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2015-86 CPSY2015-99

研究会情報
研究会 ICD CPSY  
開催期間 2015-12-17 - 2015-12-18 
開催地(和) 京都工芸繊維大学 
開催地(英) Kyoto Institute of Technology 
テーマ(和) 学生・若手研究会 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2015-12-ICD-CPSY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GaNパワーデバイスとGaN集積回路の展開 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) GaN Power Switching Devices and its Integrated Circuits 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーデバイス / Power Device  
キーワード(2)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(3)(和/英) 駆動回路 / Gate Driver  
キーワード(4)(和/英) 集積回路 / IC  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 永井 秀一 / Shuichi Nagai / ナガイ シュウイチ
第1著者 所属(和/英) パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic Corporation (略称: Panasonic)
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講演者 第1著者 
発表日時 2015-12-18 10:50:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2015-86, CPSY2015-99 
巻番号(vol) vol.115 
号番号(no) no.373(ICD), no.374(CPSY) 
ページ範囲 pp.83-85 
ページ数
発行日 2015-12-10 (ICD, CPSY) 


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