講演抄録/キーワード |
講演名 |
2015-12-21 14:35
InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・牧山剛三・中舍安宏・原 直紀(富士通研) ED2015-94 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2015-94 |
抄録 |
(和) |
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMICを検討した。InP HEMTとの整合をとるためバックワードダイオードに整合回路を設けたところ、300GHzにおいて1,390V/Wの感度を達成した。InP HEMT増幅器と組み合わせるとで、超高感度のテラヘルツ波受信器を作製できる可能性を得た。 |
(英) |
We have developed receiver MMIC structure that was integrated with GaAsSb-based backward diodes and InP-based HEMTs to detect THz wave with high sensitivity. Sensitivity of 1,390 V/W was achieved at 300 GHz by adopting a matching network at the backward diodes to make an impedance matching with InP-based HEMTs. Highly sensitive THz receivers should be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs. |
キーワード |
(和) |
トンネルダイオード / バックワード / テラヘルツ / HEMT / GaAsSb / 検波 / 感度 / InP |
(英) |
tunnel diode / backward / THz / HEMT / GaAsSb / detection / sensitivity / InP |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-94, pp. 19-23, 2015年12月. |
資料番号 |
ED2015-94 |
発行日 |
2015-12-14 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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