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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2015-12-21 14:35 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・牧山剛三・中舍安宏・原 直紀（富士通研）  ED2015-94 |
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| 抄録 | （和） | テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMICを検討した。InP HEMTとの整合をとるためバックワードダイオードに整合回路を設けたところ、300GHzにおいて1,390V/Wの感度を達成した。InP HEMT増幅器と組み合わせるとで、超高感度のテラヘルツ波受信器を作製できる可能性を得た。 |
| （英） | We have developed receiver MMIC structure that was integrated with GaAsSb-based backward diodes and InP-based HEMTs to detect THz wave with high sensitivity. Sensitivity of 1,390 V/W was achieved at 300 GHz by adopting a matching network at the backward diodes to make an impedance matching with InP-based HEMTs. Highly sensitive THz receivers should be realized by integrating the backward diodes with InP-based HEMTs. | |
| キーワード | （和） | トンネルダイオード / バックワード / テラヘルツ / HEMT / GaAsSb / 検波 / 感度 / InP |
| （英） | tunnel diode / backward / THz / HEMT / GaAsSb / detection / sensitivity / InP | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 387, ED2015-94, pp. 19-23, 2015年12月. | |
| 資料番号 | ED2015-94 | |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-94 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2015-12-21 - 2015-12-22 |
| 開催地（和） | 東北大通研ナノ・スピン棟 |
| 開催地（英） | RIEC, Tohoku Univ |
| テーマ（和） | ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム |
| テーマ（英） | Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2015-12-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Detector Characteristics of GaAsSb-based Backward Diode Monolithically Integrated with InP-based HEMTs for 300 GHz Receiver Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | トンネルダイオード / tunnel diode |
| キーワード(2)（和/英） | バックワード / backward |
| キーワード(3)（和/英） | テラヘルツ / THz |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(6)（和/英） | 検波 / detection |
| キーワード(7)（和/英） | 感度 / sensitivity |
| キーワード(8)（和/英） | InP / InP |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 剛 / Tsuyoshi Takahashi / タカハシ ツヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 芝 祥一 / Shoichi Shiba / シバ ショウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratories Ltd. (略称： Fujitsu Labs.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2015-12-21 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-94 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.387 |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-12-14 (ED) |
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