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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-20 10:55 ［依頼講演］3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 ○濱田憲治・日野史郎・三浦成久・渡邊 寛・中田修平・末川英介・海老池勇史・今泉昌之・梅嵜 勲・山川 聡（三菱電機）  ED2015-113 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-113 |
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| 抄録 | （和） | 既存の鉄道車両向けモジュールのさらなる効率化を図るため，次世代パワー半導体材料であるSiCを用いた3.3 kV耐圧のMOSFETを開発した．MOSFETの電流制御領域に高濃度n型層を形成する独自の低抵抗化技術により，実効オン抵抗を大幅に低減した．当社は本技術を活用した鉄道車両用フルSiC適用インバータを世界で初めて製品化し，営業運転中の鉄道車両にて従来比で約40%の省エネ効果を実証した． |
| （英） | For the further efficiency improvement of existing power modules for railcar traction, we have developed MOSFETs with a rated voltage of 3.3 kV by using SiC, which are expected as next-generation power semiconductor materials. The specific on-resistance of the MOSFET was reduced considerably with an original technique, which formed n-type doping layer into JFET region of the MOSFET. The world’s first all-SiC traction inverter utilizing this technique has been produced, and it have been verified to achieve an approximate 40% savings in power consumption compared to conventional systems. | |
| キーワード | （和） | 3.3kV / 4H-SiC / MOSFET / インバータ / / / / |
| （英） | 3.3kV / 4H-SiC / MOSFET / inverter / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-113, pp. 7-12, 2016年1月. | |
| 資料番号 | ED2015-113 | |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2015-113 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2015-113 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2016-01-20 - 2016-01-20 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Power Devices and High-frequency Devices, Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-01-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 3.3kV耐圧SiC-MOSFETの低抵抗化技術と世界初鉄道車両用フルSiC適用インバータの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low On-resistance SiC-MOSFET with Blocking Voltage of 3.3kV and Realization of the World's First All-SiC Traction Inverter |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3.3kV / 3.3kV |
| キーワード(2)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | インバータ / inverter |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 濱田 憲治 / Kenji Hamada / ハマダ ケンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日野 史郎 / Shiro Hino / ヒノ シロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三浦 成久 / Naruhisa Miura / ミウラ ナルヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 寛 / Hiroshi Watanabe / ワタナベ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中田 修平 / Shuhei Nakata / ナカタ シュウヘイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 末川 英介 / Eisuke Suekawa / スエカワ エイスケ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 海老池 勇史 / Yuji Ebiike / エビイケ ユウジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今泉 昌之 / Masayuki Imaizumi / イマイズミ マサユキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅嵜 勲 / Isao Umezaki / ウメザキ イサオ |
| 第9著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山川 聡 / Satoshi Yamakawa / ヤマカワ サトシ |
| 第10著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-20 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2015-113 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.402 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-01-13 (ED) |
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