| 講演抄録／キーワード |
| 講演名 |
2016-01-20 15:55
［依頼講演］高周波用GaN-HEMTの開発
○川合貴久（SEDI）  ED2015-120 |
| 抄録 |
（和） |
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| （英） |
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| キーワード |
（和） |
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| （英） |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 402, ED2015-120, pp. 49-54, 2016年1月. |
| 資料番号 |
ED2015-120 |
| 発行日 |
2016-01-13 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に
ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
ED2015-120 |
| 研究会情報 |
| 研究会 |
ED |
| 開催期間 |
2016-01-20 - 2016-01-20 |
| 開催地（和） |
機械振興会館 |
| 開催地（英） |
Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） |
パワーデバイスおよび超高周波デバイス/マイクロ波一般 |
| テーマ（英） |
Power Devices and High-frequency Devices, Microwave, etc. |
| 講演論文情報の詳細 |
| 申込み研究会 |
ED |
| 会議コード |
2016-01-ED |
| 本文の言語 |
日本語 |
| タイトル（和） |
高周波用GaN-HEMTの開発 |
| サブタイトル（和） |
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| タイトル（英） |
Development of GaN-HEMT for Microwave Applications |
| サブタイトル（英） |
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| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） |
川合 貴久 / Takahisa Kawai / |
| 第1著者 所属（和/英） |
住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： SEDI)
Sumitomo Electric Device Innovations, Inc. (略称： SEDI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） |
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| 講演者 |
第1著者 |
| 発表日時 |
2016-01-20 15:55:00 |
| 発表時間 |
25分 |
| 申込先研究会 |
ED |
| 資料番号 |
ED2015-120 |
| 巻番号（vol） |
vol.115 |
| 号番号（no） |
no.402 |
| ページ範囲 |
pp.49-54 |
| ページ数 |
6 |
| 発行日 |
2016-01-13 (ED) |
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