講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-01-21 14:15
冗長符号化を用いたマルチレベルセル不揮発性メモリ書き込み量削減 ○多和田雅師・木村晋二・柳澤政生・戸川 望(早大) VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89 |
抄録 |
(和) |
ノイマン型コンピュータにおいて重要なメインメモリに不揮発性メモリを使用する動きがある.
不揮発性メモリは書き込みエネルギーが大きい問題や書き込み耐久性が低い問題があるが,情報を符号化することで書き込み量を削減することができる.
近年はマルチレベルセル不揮発性メモリの実用化要求が高まり,従来のシングルレベルセルでの符号化技術では問題のモデル化に食い違いが生じてしまう.
マルチレベルセル不揮発性メモリを対象とした書き込み量を削減する手法を考える.
誤り訂正符号に基づいて情報の分散化を行いビットレベルで書き込み量を削減する手法をマルチレベルセル不揮発性メモリに適用させる.
提案した書き込み削減符号は冗長符号化されていないメモリに比べて平均67%書き込み削減した. |
(英) |
There is a movement to use the non-volatile memory to the important main memory in von Neumann computer.
Non-volatile memory is a low endurance and costs high writing energy.
They are solved to reduce the bit-write amount by encoding.
Recently, the practical application requests MLC non-volatile memory increases, the coding technique in the conventional single-level cell occurs discrepancy modeling problems.
We propose write-reduction using encoding data on MLC for non-volatile memories. |
キーワード |
(和) |
不揮発性メモリ / 書き込み削減 / 符号化 / マルチレベルセル / / / / |
(英) |
Non-volatile memory / bit write reduction / Encoding/decoding / MLC / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 398, VLD2015-107, pp. 221-225, 2016年1月. |
資料番号 |
VLD2015-107 |
発行日 |
2016-01-12 (VLD, CPSY, RECONF) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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VLD2015-107 CPSY2015-139 RECONF2015-89 |