講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-01-21 10:30
再構成可能アクセラレータにおける中間粒度ボディバイアス制御を用いた電力最適化 ○松下悠亮・奥原 颯・増山滉一郎・藤田 悠・天野英晴(慶大) VLD2015-101 CPSY2015-133 RECONF2015-83 |
抄録 |
(和) |
国家プロジェクトLEAP によって低消費電力で高効率な処理を行うデバイス・SOTB(Sillcon-On-ThinBox)-CMOS が開発された。SOTB-MOSFET では基板バイアスを制御することにより、電力と速度のトレードオフを取ることが出来る。本稿では、粗粒度再構成可能アクセラレータCool Mega Array に、この基板バイアス制御を適用する手法に関して検討を行う。今までのCMA ではPE-Array 全体で同じ基板バイアスを印加することで制御してきたが全PE に同じバイアスが掛かるため、細かい制御が出来なかった。そこで、本研究では基板バイアス制御のドメイン分割を仮定し、PE1 つずつ,2 つずつといった粒度での制御を行う。ドメインの分割数を増やすと、クリティカルパス上にないPE の基板バイアスを制御して電力を節約できる機会が増える一方で、分割のための面積オーバーヘッドが生じる。よって、どの粒度が一番効率良くリーク電力を削減できるかを求める。遺伝的アルゴリズムにより、PEへの基板バイアスの求めた結果、PE 単位で分割した場合、基板バイアスを全体でゼロバイアスに統一した時と比較して、面積オーバヘッド8.6%に対してリーク電力を平均50%近く削減することが出来ることが明らかになった。また要求性能が高くなるほどリーク電力をより多く削減できることが明らかになった。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
SOTB / 低電力 / リコンフィギュラブル / アクセラレータ / CGRA / 基板バイアス制御 / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 399, CPSY2015-133, pp. 185-190, 2016年1月. |
資料番号 |
CPSY2015-133 |
発行日 |
2016-01-12 (VLD, CPSY, RECONF) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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VLD2015-101 CPSY2015-133 RECONF2015-83 |