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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-22 14:35 ［招待講演］バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果 ○金 永ソク・児玉祥一・水島賢子・中村友二・前田展秀・藤本興治（東工大）・川合章仁（ディスコ）・大場隆之（東工大）  SDM2015-116 |
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| 抄録 | （和） | Tera-byte 級のDRAM 実現の為に、三次元積層技術は期待されていて、特にWafer on Wafer 方法はコ スト低減を可能にする唯一の技術である。本論文ではウエハ積層に必須である薄化技術の紹介と300 mm DRAM ウエハを2.6 m まで薄化し、その電特評価について紹介する。また、Si 厚さとCu 強制汚染の影響について調べ る。物理解析結果として、薄化した裏面の歪と欠陥分布についても報告する。 |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | 3次元積層 / 貫通電極 / 薄化 / リテンション特性 / / / / |
| （英） | 3D-IC / WOW / DRAM / TSV / back grinding / thinning / Retention / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 417, SDM2015-116, pp. 33-37, 2016年1月. | |
| 資料番号 | SDM2015-116 | |
| 発行日 | 2016-01-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-01-22 - 2016-01-22 |
| 開催地（和） | 東京大学 山上会館 |
| 開催地（英） | Sanjo Conference Hall, The University of Tokyo |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Interconnects, Package and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | バンプレスインターコネクトを用いた三次元積層デバイス向けのウエハ薄化評価結果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Wafer Thinning on DRAM Characteristics for Bumpless Interconnects and WOW Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元積層 / 3D-IC |
| キーワード(2)（和/英） | 貫通電極 / WOW |
| キーワード(3)（和/英） | 薄化 / DRAM |
| キーワード(4)（和/英） | リテンション特性 / TSV |
| キーワード(5)（和/英） | / back grinding |
| キーワード(6)（和/英） | / thinning |
| キーワード(7)（和/英） | / Retention |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 永ソク / Y. S. Kim / キム ヨンソク |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokodai) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 児玉 祥一 / S. Kodama / |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokodai) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 水島 賢子 / Y. Mizushima / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokodai) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / T. Nakamura / |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokodai) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 展秀 / N. Maeda / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokodai) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤本 興治 / K. Fujimoto / |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokodai) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川合 章仁 / A. Kawai / |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社ディスコ (略称： ディスコ) DISCO CORPORATION (略称： DISCO) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大場 隆之 / T. Ohba / |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokodai) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-22 14:35:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-116 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.417 |
| ページ範囲 | pp.33-37 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-01-15 (SDM) |
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