| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2016-01-22 09:50
次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換 ○菅原健太・玉虫 元・アドリアン ドブロユ・吉田智洋・末光哲也・吹留博一・末光眞希・リズィー ビクトール・岩月勝美(東北大)・桑野 茂・可児淳一・寺田 純(NTT)・尾辻泰一(東北大) OCS2015-95 |
| 抄録 |
(和) |
グラフェンチャネルFET(G-FET),及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し,それらトランジスタを用いて光通信と高速無線通信の融合で鍵となる光電子融合サブテラヘルツ帯ミキシング動作の確認を試みた.G-FET,HEMT双方においてサブテラヘルツ周波数のRF信号に重畳されたデータを,トランジスタチャネル内に光混合生成したLO信号でミキシングし,中間周波数帯へと周波数下方変換できることを確認した.両者の変換利得の比較からG-FETのサブテラヘルツ帯応用の見通しを得た. |
| (英) |
The feasibility of graphene-channel field effect transistors (G-FETs) and InP based high electron mobility transistors (InP-HEMTs) as a photonic frequency double-mixing conversion device for future broadband optical and wireless communication systems was experimentally examined. A single G-FET as well as a single InP-HEMT can photomix the optical subcarriers to generate a LO and mix down the RF data on a sub-THz carrier to the IF band simultaneously. Superior intrinsic RF performance of the G-FET was found throughout the experiment, although the extrinsic RF performance is yet to be improved. An improved high-speed and high-sensitivity G-FET achieved by scaling down the feature size to below the 100 nm range is expected to perform an excellent frequency conversion. |
| キーワード |
(和) |
グラフェン / グラフェンチャネルFET / HEMT / フォトミキシング / サブテラヘルツ帯 / / / |
| (英) |
Graphene / Graphene channel FET / HEMT / Photomixing / Sub-THz band / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 115, no. 407, OCS2015-95, pp. 41-46, 2016年1月. |
| 資料番号 |
OCS2015-95 |
| 発行日 |
2016-01-14 (OCS) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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査読に ついて |
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OCS2015-95 |