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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-22 10:40 ［招待講演］常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考 ○松山英也（ソシオネクスト）・鈴木貴志・中村友二（富士通研）・塩津基樹・江原英郎（三重富士通セミコンダクター）  SDM2015-109 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 417, SDM2015-109, pp. 5-8, 2016年1月. | |
| 資料番号 | SDM2015-109 | |
| 発行日 | 2016-01-15 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-01-22 - 2016-01-22 |
| 開催地（和） | 東京大学 山上会館 |
| 開催地（英） | Sanjo Conference Hall, The University of Tokyo |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Interconnects, Package and related materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 常温12年応力変動の結果から銅配線のストレスマイグレーションメカニズムの再考 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Re-think Stress migration phenomenon with Stress measurement in 12years |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松山 英也 / Hideya Matsuyama / マツヤマ ヒデヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社ソシオネクスト (略称： ソシオネクスト) Socionext Inc (略称： Socionext) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 貴志 / Takashi Suzuki / スズキ タカシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratory Ltd (略称： FJ Lab) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura / ナカムラ トモジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 (略称： 富士通研) Fujitsu Laboratory Ltd (略称： FJ Lab) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩津 基樹 / Motoki Shiozu / シオヅ モトキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三重富士通セミコンダクター株式会社 (略称： 三重富士通セミコンダクター) MIE FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称： MIFS) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 江原 英郎 / Hideo Ehara / エハラ ヒデオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三重富士通セミコンダクター株式会社 (略称： 三重富士通セミコンダクター) MIE FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称： MIFS) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-22 10:40:00 |
| 発表時間 | 35分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-109 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.417 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-01-15 (SDM) |
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