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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-28 10:30 ［招待講演］Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性 ○小田 穣・佐久間 究・上牟田雄一・齋藤真澄（東芝）  SDM2015-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-121 |
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| 抄録 | （和） | 固相成長(SPC)法におけるpoly-Si膜形成プロセスを最適化したAdvanced SPCプロセスを適用し、高性能ポリシリコンナノワイヤトランジスタを形成した。高移動度ポリシリコンにおける散乱メカニズムを探るため、電子移動度およびホール移動度の温度依存性、表面電荷密度(Ns)依存性や粒径と移動度の相関を調べた。その結果、電子・ホール移動度ともに従来から指摘されていた粒界散乱が支配的なのではなく、ホール移動度はフォノン散乱、電子移動度は高キャリア密度でラフネス散乱、低キャリア密度で粒内欠陥起因のクーロン散乱が支配的であることが示唆された。 |
| （英） | High-performance poly-Si nanowire transistors were fabricated by Advanced SPC process, in which the process of forming a poly-Si film is optimized. Temperature and surface carrier density (Ns) dependence of mobility, and also correlation between grain size and mobility are investigated in order to determine what limits the mobility in the poly-Si channel. As a result, it is suggested that the hole mobility is dominated by phonon scattering, and that the electron mobility is dominated by surface roughness scattering at high Ns and coulomb scattering at low Ns which is attributed to defects in grains although scattering at grain boundaries has been thought to be dominant in the poly-Si transistors. | |
| キーワード | （和） | ポリシリコン / 薄膜トランジスタ / 移動度 / 固相成長 / / / / |
| （英） | poly-Si / TFT / mobility / SPC / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 440, SDM2015-121, pp. 5-8, 2016年1月. | |
| 資料番号 | SDM2015-121 | |
| 発行日 | 2016-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-121 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2015-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-01-28 - 2016-01-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Carrier Transport Analysis of High-Performance Poly-Si Nanowire Transistor Fabricated by Advanced SPC with Record-High Electron Mobility |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ポリシリコン / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 固相成長 / SPC |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田 穣 / Minoru Oda / オダ ミノル |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐久間 究 / Kiwamu Sakuma / サクマ キワム |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上牟田 雄一 / Yuuichi Kamimuta / カミムタ ユウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-28 10:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-121 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.440 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-01-21 (SDM) |
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