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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-01-28 14:00 ［招待講演］Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス ○竹中 充・金 栄現・韓 在勲・亢 健・一宮佑希・程 勇鵬・朴 珍權・金 相賢・高木信一（東大）  SDM2015-124 |
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| 抄録 | （和） | 本論文では，Siプラットフォーム上にSiGeやGe，III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフォトニクス技術に関する我々の研究成果を紹介する． 我々は，歪SiGe中の軽い正孔を用いた高性能光変調器の実証に成功した．また，フォトニクス応用可能なGe-on-Insulator基板を用いたGeフォトニクスの実証に成功した．III-V on Insulator基板を用いた光スイッチや受光器の作製にも成功している．Si基板上に成長したIII-V層を用いて基板口径スケーラブルなIII-V-OI基板の実証にも成功した． |
| （英） | In this paper, we present heterogeneous integration of SiGe/Ge and III-V semiconductors on Si for electronic-photonic integrated circuits through CMOS photonics technologies. As for SiGe CMOS photonics, strained SiGe is shown to enhance modulation efficiency for optical modulators. We demonstrated that the plasma dispersion effect is enhanced by strain application to SiGe owing to a decrease in the effective hole mass. As for Ge CMOS photonics, Ge-based photonic-wire waveguides are demonstrated for Mid-IR applications by using photonic Ge-on-Insulator wafers for the first time. As for III-V CMOS photonics, we developed high-quality photonic III-V on Insulator wafers by using direct wafer bonding. InGaAsP photonic-wire devices including optical switches and InGaAs photodetectors are demonstrated. We have also successfully demonstrated wafer-size-scalable III-V-OI wafers by using a III-V epi on Si wafer. | |
| キーワード | （和） | Siフォトニクス / SiGe / Ge / III-V族半導体 / 光電子集積回路 / / / |
| （英） | Si photonics / SiGe / Ge / III-V semiconductors / electronic-photonic integrated circuits / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, no. 440, SDM2015-124, pp. 17-20, 2016年1月. | |
| 資料番号 | SDM2015-124 | |
| 発行日 | 2016-01-21 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2015-124 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-01-28 - 2016-01-28 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 先端ＣＭＯＳデバイス・ プロセス技術（ＩＥＤＭ特集） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-01-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | CMOS photonics technologies based on heterogeneous integration on Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siフォトニクス / Si photonics |
| キーワード(2)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(3)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(4)（和/英） | III-V族半導体 / III-V semiconductors |
| キーワード(5)（和/英） | 光電子集積回路 / electronic-photonic integrated circuits |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹中 充 / Mitsuru Takenaka / タケナカ ミツル |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 栄現 / Younghyun Kim / キム ヨンヒョン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 韓 在勲 / Jaehoon Han / ハン ジェフン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 亢 健 / Jian Kan / コウ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 一宮 佑希 / Yuki Ikku / イック ユウキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 程 勇鵬 / Yongpeng Cheng / テイ ユウホウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朴 珍權 / Jinkwon Park / パク ジンゴン |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 相賢 / SangHyeon Kim / キム サンヒョン |
| 第8著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 信一 / Shinichi Takagi / タカギ シンイチ |
| 第9著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) The University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-01-28 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2015-124 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.440 |
| ページ範囲 | pp.17-20 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-01-21 (SDM) |
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