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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-03-04 13:10 強誘電性Y:HfO2薄膜におけるナノスケールドメイン反転 ○陳 舟・平永良臣（東北大）・清水荘雄・片山きりは・三村和仙・舟窪 浩（東工大）・長 康雄（東北大）  MR2015-34 |
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| 抄録 | （和） | 近年，Y:HfO2薄膜など，酸化ハフニウム薄膜の強誘電性が相続き証明された．しかしながら，これまでの研究では，直接的に強誘電体の分極反転をナノスケールで観察する実験はほとんどいなかった．本研究では，強誘電体の分極反転をナノスケールで観察できる走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を用いて，膜厚11nmのエピタキシャル配向Y:HfO2薄膜の観察とドメイン反転実験を行った．SNDMによってY:HfO2強誘電体薄膜の観察が可能であることを証明した．さらに，先端が非常に細い探針を用いて，Y:HfO2薄膜表面にパルス電圧を印加した，直径26nm近くのドットを書き込んだ．Y:HfO2を強誘電体記録媒体として使う可能性があることが示された． |
| （英） | In recent years, ferroelectricity in hafnium oxide thin film such as Y:HfO2 thin film has been demonstrated. But until now, there is few researches in which the polarization inversion of ferroelectric thin film at nanoscale has been observed directly. In this research, we used scanning nonlinear dielectric microscopy (SNDM) to observe an epitaxial orientation Y:HfO2 thin film with a thickness of 11nm and performed a domain inversion experiment on it. So that we confirmed that ferroelectricity of Y:HfO2 thin film can be observed by SDNM. And then we applied pulse voltage to the thin film surface by using a very fine probe tip. As a result, dots with diameter of about 26nm were formed. This shows the capability of Y:HfO2 to be used as media of ferroelectric data storage. | |
| キーワード | （和） | 酸化ハフニウム薄膜 / 走査型非線形誘電率顕微鏡 / 強誘電体記録 / / / / / |
| （英） | Hafnium Oxide Thin Film / Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy / Ferroelectric Data Storage / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 115, 2016年3月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2016-02-26 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2015-34 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS IEE-MAG |
| 開催期間 | 2016-03-04 - 2016-03-04 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | 光記録，一般 |
| テーマ（英） | Optical recording, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2016-03-MR-MMS-MAG |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電性Y:HfO2薄膜におけるナノスケールドメイン反転 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nanoscale domain inversion in ferroelectric Y:HfO2 thin film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ハフニウム薄膜 / Hafnium Oxide Thin Film |
| キーワード(2)（和/英） | 走査型非線形誘電率顕微鏡 / Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体記録 / Ferroelectric Data Storage |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 陳 舟 / Zhou Chen / チン シュウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平永 良臣 / Yoshiomi Hiranaga / ヒラナガ ヨシオミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 荘雄 / Takao Shimizu / シミズ タカオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片山 きりは / Kiriha Katayama / カタヤマ キリハ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 和仙 / Takanori Mimura / ミムラ タカノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 舟窪 浩 / Hiroshi Funakubo / フナクボ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長 康雄 / Yasuo Cho / |
| 第7著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-03-04 13:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2015-34 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | no.490 |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-02-26 (MR) |
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