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講演抄録/キーワード
講演名 2016-04-08 16:25
大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製
中谷太一原田大夢・○東 清一郎広島大SDM2016-9 OME2016-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-9 OME2016-9
抄録 (和) 大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を石英基板上のアモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜へ照射し形成した結晶(c-)Geを用いて薄膜トランジスタ(TFT)を作製し電気特性を評価した。高速横方向結晶化(HSLC)によって結晶化したc-Ge細線は結晶欠陥の抑制により~1.5 x 10^16 cm^-3の低いキャリア密度と~950 cm^2/Vsの高いホール移動度(μH)を示した。HSLC-Geとゲート絶縁膜としてSiO2を用いて作製したP型薄膜トランジスタ(TFT)はON/OFF比(RON/OFF) = 1.4 x 10^4及び、電界効果移動度(μFE) = 197 cm^2/Vsを達成した。 
(英) We investigated the electrical properties of the crystalline germanium films crystallized by μ-TPJ irradiation. High speed lateral crystallization (HSLC-) Ge shows low hole concentration (1.5 x 10^16 cm^-3) and high hall mobility (1070 cm^2/Vs). P-type thin film transistors (TFT) using HSLC-Ge and SiO2 film as the gate dielectric achieved field effect mobility (μFE) of 196 cm^2/Vs and ON/OFF ratio (RON/OFF) of 1.4 x 10^4.
キーワード (和) マイクロ熱プラズマジェット / ゲルマニウム / 薄膜トランジスタ / / / / /  
(英) Micro-Thermal-Plasma-Jet / Germanium / Thin Film Transistor / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-9, pp. 35-38, 2016年4月.
資料番号 SDM2016-9 
発行日 2016-04-01 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2016-9 OME2016-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-9 OME2016-9

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2016-04-08 - 2016-04-09 
開催地(和) 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 
開催地(英) Okinawa Prefectural Museum & Art Museum 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) Thin film devices, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2016-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical Characterization of Germanium films Crystallized by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation and Fabrication of High-Performance Thin Film Transistors. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) マイクロ熱プラズマジェット / Micro-Thermal-Plasma-Jet  
キーワード(2)(和/英) ゲルマニウム / Germanium  
キーワード(3)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistor  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中谷 太一 / Taichi Nakatani / ナカタニ タイチ
第1著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 原田 大夢 / Hiromu Harada / ハラダ ヒロム
第2著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ
第3著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者 第3著者 
発表日時 2016-04-08 16:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2016-9, OME2016-9 
巻番号(vol) vol.116 
号番号(no) no.1(SDM), no.2(OME) 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数
発行日 2016-04-01 (SDM, OME) 


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