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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-08 16:00 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 ○草野欽太・工藤和樹・塘内功大・坂口大成・茂籐健太（熊本高専）・本山慎一・楠田 豊・古田真浩（サムコ）・中 庸行・沼田朋子（堀場製作所）・高倉健一郎・角田 功（熊本高専）  SDM2016-8 OME2016-8 |
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| 抄録 | （和） | シートコンピュータ等への応用を目指し，絶縁膜上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長法を検討した．非晶質Ge薄膜の熱的固相成長では核発生エネルギーが大きく，450℃もの高温熱処理が必要である．そこで熱的固相成長に電子線を併用することで，核発生エネルギーが低減でき，核発生時間を約1 / 50倍にまで低減できることを明らかにした．さらに，応力を重畳した触媒金属固相成長に展開すると，熱的固相成長に比べて約1000倍もの促進を実現し，並びにプラスティック軟化温度（120℃）以下の低温結晶成長を達成できた． |
| （英） | We have investigated the low-temperature SPC of amorphous Ge on insulating substrate. High temperature and long time annealing are necessary to obtain the crystalline Ge on insulating substrate by conventional SPC method. In order to enhance the crystal nucleation, the initial amorphicity modulation induced by electron irradiation was carried out. The incubation time for crystal nucleation was decreased to 1/50 of that without electron irradiation. Furthermore, the compressive stress stimulated MIC of amorphous Ge on insulating substrate has examined. As a result, the solid phase crystallization of amorphous Ge was significantly enhanced (~ 1000 times). In addition, the crystallization temperature can be decreased to 120 oC. In this way, low temperature crystallization below the softening temperature of low cost plastic substrate (150 oC) becomes possible. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / 固相成長 / 触媒金属誘起固相成長 / 電子線照射 / 応力印加 / / / |
| （英） | Germanium / Solid phase crystallization / Metal induced crystallization / Electron beam irradiation / Compressive stress stimulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-8, pp. 31-34, 2016年4月. | |
| 資料番号 | SDM2016-8 | |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-8 OME2016-8 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2016-04-08 - 2016-04-09 |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO2の低温固相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Non-thermal energy utilized low temperature solid phase crystallization of amorphous Ge on SiO2 substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 触媒金属誘起固相成長 / Metal induced crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 電子線照射 / Electron beam irradiation |
| キーワード(5)（和/英） | 応力印加 / Compressive stress stimulation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 草野 欽太 / Kinta Kusano / クサノ キンタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College (略称： NIT, Kumamoto) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 和樹 / Kazuki Kudo / クドウ カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College (略称： NIT, Kumamoto) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塘内 功大 / Kodai Tomouchi / トモウチ コウダイ |
| 第3著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College (略称： NIT, Kumamoto) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂口 大成 / Taisei Sakaguchi / サカグチ タイセイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College (略称： NIT, Kumamoto) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 茂籐 健太 / Kenta Moto / モトウ ケンタ |
| 第5著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College (略称： NIT, Kumamoto) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本山 慎一 / Shinichi Motoyama / モトヤマ シンイチ |
| 第6著者 所属（和/英） | サムコ株式会社 (略称： サムコ) SAMCO (略称： SAMCO) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 楠田 豊 / Yutaka Kusuda / クスダ ユタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | サムコ株式会社 (略称： サムコ) SAMCO (略称： SAMCO) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古田 真浩 / Masahiro Furuta / フルタ マサヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | サムコ株式会社 (略称： サムコ) SAMCO (略称： SAMCO) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中 庸行 / Nobuyuki Naka / ナカ ノブユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 株式会社堀場製作所 (略称： 堀場製作所) HORIBA (略称： HORIBA) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼田 朋子 / Tomoko Numata / ヌマタ トモコ |
| 第10著者 所属（和/英） | 株式会社堀場製作所 (略称： 堀場製作所) HORIBA (略称： HORIBA) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高倉 健一郎 / Kenichiro Takakura / タカクラ ケンイチロウ |
| 第11著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College (略称： NIT, Kumamoto) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角田 功 / Isao Tsunoda / ツノダ イサオ |
| 第12著者 所属（和/英） | 熊本高等専門学校 (略称： 熊本高専) National Institute of Technology, Kumamoto College (略称： NIT, Kumamoto) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-08 16:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-8, OME2016-8 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
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