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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-08 14:20 ［招待講演］Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 ○志村洋介（静岡大）・竹内和歌奈・坂下満男・黒澤昌志・中塚 理・財満鎭明（名大）  SDM2016-5 OME2016-5 |
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| 抄録 | （和） | Si基板上への電子デバイスおよび光学デバイス集積に、Siプロセスへの親和性が高く、歪およびエネルギーバンドギャップの制御が可能なSn系IV族半導体混晶が注目されている。我々は非平衡成長により固溶限を超えるSn原子の導入を達成し、その安定化に歪が大きく関与していることを見出した。また、様々なIV族半導体元素からなる多元系混晶の高品質薄膜成長に成功し、それらの物性評価を行った。特にエネルギーバンド構造の実験的評価により、Sn系IV族半導体混晶の光学デバイス応用への展望が大きく開けた。 |
| （英） | Strain and energy band structure can be designed in Sn-containing group-IV semiconductor alloys. Moreover, as these new semiconductor materials are compatible with a conventional Si process, they are fascinating materials to be implemented into both electronic and optoelectronic devices to realize an integration of them on a Si substrate. We have achieved to grow those epitaxial layers with stabilized high amount of Sn by non-equilibrium growth and controlling strain. Characterization of binary and ternary Sn-containing group-IV alloys, especially the experimentally confirmed their energy band structure, represents a prospect of monolithic integration of everything on a chip. | |
| キーワード | （和） | シリコンフォトニクス / Sn / 歪 / エネルギーバンド構造 / / / / |
| （英） | Si-photonics / Sn / strain / energy band structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-5, pp. 23-26, 2016年4月. | |
| 資料番号 | SDM2016-5 | |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-5 OME2016-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2016-04-08 - 2016-04-09 |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and characterization of Sn-containing group-IV semiconductor thin film |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si-photonics |
| キーワード(2)（和/英） | Sn / Sn |
| キーワード(3)（和/英） | 歪 / strain |
| キーワード(4)（和/英） | エネルギーバンド構造 / energy band structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 志村 洋介 / Yosuke Shimura / シムラ ヨウスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Sizuoka University (略称： Sizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi / タケウチ ワカナ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka / ナカツカ オサム |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-08 14:20:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-5, OME2016-5 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.23-26 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
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