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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-08 12:00 ［招待講演］低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 ○大見俊一郎・前田康貴・古山 脩・廣木瑞葉（東工大）  SDM2016-3 OME2016-3 |
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| 抄録 | （和） | ペンタセンやルブレンを用いた有機半導体電界効果トランジスタ(OFET)は、アモルファスSiをしのぐ高いホール移動度を示すことが報告されている。しかし、電子移動度が著しく低く大気中での動作特性が不安定であるため、nチャネルOFETにはフラーレンなどの異なる材料を用いてCMOSを構成する必要がある。また、有機半導体はSiプロセスで用いられるリソグラフィプロセスの適用が困難であるため、ボトムゲート型OFETの報告がほとんどであり微細化および高集積化に課題がある。本研究では、単一有機半導体CMOSの形成を目的として、低仕事関数を有し大気中で安定な窒素添加LaB6 (N-doped LaB6)、および蒸着による形成が可能なYbを界面制御層として導入したOFETのデバイス特性向上に関する検討を行った。さらに、リソグラフィプロセスを用いたトップゲート型OFETの作製に関しても紹介する。 |
| （英） | High hole mobility, higher than that of a-Si, has been reported for the organic semiconductor field-effect transistor (OFET) utilizing pentacene, ruburene, and other materials. However, the electron mobility in those materials is significantly low compared to the hole mobility and device characteristics are not stable in the air. Therefore, the other materials such as fullerene is necessary to be introduced for the n-channel OFET to fabricate an organic CMOS. Furthermore, the device scaling and integration are the issues for the OFETs because of the difficulties to use lithography process. In this paper, we have investigated the effect of metal interface layer with low work-function, such as nitrogen-doped LaB6 which is stable in the air and Yb which is able to be evaporated, on the OFET device characteristics to realize the single organic semiconductor CMOS. Furthermore, fabrication of top-gate type OFET utilizing lithography process was also examined. | |
| キーワード | （和） | ペンタセン / ルブレン / 窒素添加LaB6 / Yb / リソグラフィ / トップゲート型OFET / CMOS / |
| （英） | pentacene / rubrene / nitrogen-doped LaB6 / Yb / lithography / top-gate type OFET / CMOS / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 2, OME2016-3, pp. 11-15, 2016年4月. | |
| 資料番号 | OME2016-3 | |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-3 OME2016-3 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2016-04-08 - 2016-04-09 |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2016-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | OFET Device Characteristics utilizing Low Work-function Metal Interface Control Layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | ルブレン / rubrene |
| キーワード(3)（和/英） | 窒素添加LaB6 / nitrogen-doped LaB6 |
| キーワード(4)（和/英） | Yb / Yb |
| キーワード(5)（和/英） | リソグラフィ / lithography |
| キーワード(6)（和/英） | トップゲート型OFET / top-gate type OFET |
| キーワード(7)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi / オオミ シュンイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 康貴 / Yasutaka Maeda / マエダ ヤスタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古山 脩 / Syu Furuyama / フルヤマ シュウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 廣木 瑞葉 / Mizuha Hiroki / ヒロキ ミズハ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-08 12:00:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | SDM2016-3, OME2016-3 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
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