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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-09 09:30 ［招待講演］酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 ○尹 聖民・金 昭淨・朴 珉智・尹 多貞（慶熙大）  SDM2016-12 OME2016-12 |
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| 抄録 | （和） | 可視光に対する透明性及び機械的な柔軟性を持ち備えた不揮発性メモリ素子は多様な興味深い応用に用いることができる。本稿では電荷注入型不揮発性薄膜トランジスタの作製及び作製した素子の電気特性について記述する。このメモリ素子のゲートスタックは酸化物薄膜を用いたブロックキング、電荷注入、トンネルリング、活性層の順で構成される。作製したメモリ薄膜トランジスタは透明かつ柔軟な特徴を持った上で優れたメモリ特性を示していることが確認できた。 |
| （英） | The embeddable nonvolatile memory devices with such characteristics as mechanical flexibility and/or transparency to the visible light can provide us very interesting applications. In this presentation, charge-trap type nonvolatile memory thin-film transistors (TFTs) and their device characteristics will be introduced, in which all-oxide gate-stack is composed of blocking, charge-trap, tunneling, and active oxide layers. Prototype transparent memory TFTs were fabricated and characterized and promising memory behaviors were successfully obtained. Finally, future perspectives for the nonvolatile memory applications using the oxide TFTs will be summarized. | |
| キーワード | （和） | 不揮発性メモリ / 薄膜トランジスタ / 酸化物半導体 / 電荷注入 / / / / |
| （英） | Nonvolatile Memory / Thin-Film Transistor / Oxide Semiconductor / Charge-Trap / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 1, SDM2016-12, pp. 49-52, 2016年4月. | |
| 資料番号 | SDM2016-12 | |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-12 OME2016-12 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2016-04-08 - 2016-04-09 |
| 開催地（和） | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 |
| 開催地（英） | Okinawa Prefectural Museum & Art Museum |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 酸化物半導体を用いた不揮発性メモリ薄膜トランジスタの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nonvolatile Memory Applications Using Oxide Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile Memory |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 電荷注入 / Charge-Trap |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尹 聖民 / Sung-Min Yoon / ユン ソンミン |
| 第1著者 所属（和/英） | 慶熙大学 (略称： 慶熙大) Kyung Hee University (略称： Kyung Hee Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 昭淨 / So-Jung Kim / キム ソジョン |
| 第2著者 所属（和/英） | 慶熙大学 (略称： 慶熙大) Kyung Hee University (略称： Kyung Hee Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朴 珉智 / Min-Ji Park / パク ミンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 慶熙大学 (略称： 慶熙大) Kyung Hee University (略称： Kyung Hee Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尹 多貞 / Da-Jeong Yun / ユン ダジョン |
| 第4著者 所属（和/英） | 慶熙大学 (略称： 慶熙大) Kyung Hee University (略称： Kyung Hee Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-09 09:30:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-12, OME2016-12 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-04-01 (SDM, OME) |
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