講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-04-14 13:25
[依頼講演]IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 ○田中誠大・石井智也・蜂谷尚悟・寧 渉洋・竹内 健(中大) ICD2016-6 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-6 |
抄録 |
(和) |
バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして,低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている.本論文では,0.6V動作ReRAM向け書き込み電圧生成回路を制御するコンパレータ回路のバイアス電流の最適化手法を提案する.提案手法により,コンパレータ回路のバイアス電流を2mAで固定とした場合と比較して書き込み電圧のリップルが26%減少し,コンパレータ回路のバイアス電流を8mAで固定とした場合と比較して効率が8.9%増加した. |
(英) |
Resistive RAM (ReRAM) is considered as candidates for batteryless IoT local device because of the low voltage and low power program operation compared with the conventional NAND flash memory. In this paper, 0.6V operation ReRAM program voltage generator with the 2µA to 8µA adaptive comparator current (ICMP) is proposed to achieve low ReRAM program voltage ripple (VRIPPLE) and high energy efficiency, simultaneously. In detail, for one ReRAM cell program, the proposed program voltage generator reduces VRIPPLE by 26% compared with the conventional program voltage generator with fixed 2µA small ICMP. For 16 ReRAM cells program, the proposed program voltage generator improves 8.9% energy efficiency compared with the conventional program voltage generator with fixed 8µA large ICMP. |
キーワード |
(和) |
Internet of things (IoT) / 組み込みメモリ / ブーストコンバータ / 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / / / / |
(英) |
Internet of things (IoT) / Embedded memory / Boost converter / Resistive RAM (ReRAM) / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-6, pp. 27-32, 2016年4月. |
資料番号 |
ICD2016-6 |
発行日 |
2016-04-07 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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