| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-14 13:25 ［依頼講演］IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 ○田中誠大・石井智也・蜂谷尚悟・寧 渉洋・竹内 健（中大）  ICD2016-6 |
|
| 抄録 | （和） | バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして，低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている．本論文では，0.6V動作ReRAM向け書き込み電圧生成回路を制御するコンパレータ回路のバイアス電流の最適化手法を提案する．提案手法により，コンパレータ回路のバイアス電流を2mAで固定とした場合と比較して書き込み電圧のリップルが26%減少し，コンパレータ回路のバイアス電流を8mAで固定とした場合と比較して効率が8.9%増加した． |
| （英） | Resistive RAM (ReRAM) is considered as candidates for batteryless IoT local device because of the low voltage and low power program operation compared with the conventional NAND flash memory. In this paper, 0.6V operation ReRAM program voltage generator with the 2µA to 8µA adaptive comparator current (ICMP) is proposed to achieve low ReRAM program voltage ripple (VRIPPLE) and high energy efficiency, simultaneously. In detail, for one ReRAM cell program, the proposed program voltage generator reduces VRIPPLE by 26% compared with the conventional program voltage generator with fixed 2µA small ICMP. For 16 ReRAM cells program, the proposed program voltage generator improves 8.9% energy efficiency compared with the conventional program voltage generator with fixed 8µA large ICMP. | |
| キーワード | （和） | Internet of things (IoT) / 組み込みメモリ / ブーストコンバータ / 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / / / / |
| （英） | Internet of things (IoT) / Embedded memory / Boost converter / Resistive RAM (ReRAM) / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-6, pp. 27-32, 2016年4月. | |
| 資料番号 | ICD2016-6 | |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-6 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2016-04-14 - 2016-04-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ技術と一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 0.6V Operation ReRAM Program Voltage Generator with Adaptively Optimized Comparator Bias-Current for Batteryless IoT Local Device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Internet of things (IoT) / Internet of things (IoT) |
| キーワード(2)（和/英） | 組み込みメモリ / Embedded memory |
| キーワード(3)（和/英） | ブーストコンバータ / Boost converter |
| キーワード(4)（和/英） | 抵抗変化型メモリ(ReRAM) / Resistive RAM (ReRAM) |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 誠大 / Masahiro Tanaka / タナカ マサヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 智也 / Tomoya Ishii / イシイ トモヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蜂谷 尚悟 / Shogo Hachiya / ハチヤ ショウゴ |
| 第3著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寧 渉洋 / Sheyang Ning / |
| 第4著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第5著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-14 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-6 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.3 |
| ページ範囲 | pp.27-32 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る] (日本語ページの行間係数: 1)