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講演抄録/キーワード
講演名 2016-04-14 14:50
[依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance
齋藤 仁中村 亘小澤聡一郎佐次田直也三原 智彦坂幸信王 文生堀 智之高井一章中澤光晴小杉 騰濱田 誠川嶋将一郎恵下 隆松宮正人FSLICD2016-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-9
抄録 (和) 我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発したトリプル・プロテクション構造のセル・アレイは, 追加マスク工程不要で, 水素や湿度による劣化から0.4 μm^2の強誘電体キャパシタを効果的に保護する。我々はCOB(Capacitor over bit-line)構造で0.5 μm^2の小セル・サイズを実現した。 
(英) We have developed a ferroelectric RAM (FRAM) with a low operation voltage of 1.2 V and a high switching endurance up to 1E17 cycles. Our newly developed triple- protection structured cell array, has constructed without an additional mask step, effectively protects 0.4-μm^2 ferroelectric capacitors from hydrogen and moisture degradation. We have designed our capacitor-over-bit-line (COB) structure to have a small cell size of 0.5-μm^2.
キーワード (和) FRAM / PZT / COB / 低電圧動作 / 書き換え回数 / トリプル・プロテクション構造 / /  
(英) FRAM / PZT / COB / low voltage operation / high switching endurance / triple-protection structure / /  
文献情報 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-9, pp. 45-49, 2016年4月.
資料番号 ICD2016-9 
発行日 2016-04-07 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2016-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2016-9

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2016-04-14 - 2016-04-15 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) メモリ技術と一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2016-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) FRAM / FRAM  
キーワード(2)(和/英) PZT / PZT  
キーワード(3)(和/英) COB / COB  
キーワード(4)(和/英) 低電圧動作 / low voltage operation  
キーワード(5)(和/英) 書き換え回数 / high switching endurance  
キーワード(6)(和/英) トリプル・プロテクション構造 / triple-protection structure  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 仁 / Hitoshi Saito / サイトウ ヒトシ
第1著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 亘 / Ko Nakamura / ナカムラ コウ
第2著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小澤 聡一郎 / Soichiro Ozawa / オザワ ソウイチロウ
第3著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐次田 直也 / Naoya Sashida / サシダ ナオヤ
第4著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 三原 智 / Satoru Mihara / ミハラ サトル
第5著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 彦坂 幸信 / Yukinobu Hikosaka / ヒコサカ ユキノブ
第6著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 王 文生 / Wensheng Wang /
第7著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 堀 智之 / Tomoyuki Hori / ホリ トモユキ
第8著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 高井 一章 / Kazuaki Takai / タカイ カズアキ
第9著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 光晴 / Mitsuharu Nakazawa / ナカザワ ミツハル
第10著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 小杉 騰 / Noboru Kosugi / コスギ ノボル
第11著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 濱田 誠 / Makoto Hamada / ハマダ マコト
第12著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 川嶋 将一郎 / Shoichiro Kawashima / カワシマ ショウイチロウ
第13著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 恵下 隆 / Takashi Eshita / エシタ タカシ
第14著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 松宮 正人 / Masato Matsumiya / ナカムラ マサト
第15著者 所属(和/英) 富士通セミコンダクター株式会社 (略称: FSL)
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED (略称: FSL)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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講演者
発表日時 2016-04-14 14:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2016-9 
巻番号(vol) 116 
号番号(no) no.3 
ページ範囲 pp.45-49 
ページ数
発行日 2016-04-07 (ICD) 


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