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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-04-14 13:00 ［依頼講演］ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 ○高橋庸夫（北大）・工藤昌輝（九大）・有田正志（北大）  ICD2016-5 |
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| 抄録 | （和） | 抵抗変化メモリは、不揮発性メモリとして注目され、すでに16Gbit程度のセルアレイが報告されている．しかし、その長期信頼性を評価し、実用化するためには、動作メカニズムを理解する必要がある．ここでは透過電子顕微鏡（TEM）の中で電気的特性と構造を同時に観察・評価する、その場観察技術を用いて、30nm級のCu-Te ReRAMの電気特性評価を行った．その結果、TEM内で通常のReRAMデバイスと同等抵抗スイッチング特性が得られるとともに、抵抗変化に対応した導電性フィラメントの生成と消滅を確認し、長時間のメモリ保持特性と10万回の繰返し書換え特性の観測などに成功し、TEMその場観察技術が長期信頼性確保の阻害要因の解明や、故障原因の特定と解決などに有効であることを示した． |
| （英） | Resistive random access memories (ReRAMs) have been investigated as a next generation non-volatile memory, where 16-Gbit cells have been demonstrated. It is important to understand the switching mechanism of ReRAMs in order to in order to guarantee the reliability. Here, in-situ transmission electron microscopy (TEM), in which high-resolution TEM image observation is carried out during the electrical measurements, is applied to analysis of the 30-nm Cu-Te-based ReRAM operation. Switching characteristics, which are almost the same as those measured at the outside of TEM by the use of conventional ReRAM cells, are achieved together with clear images of formation and rupture of conductive filaments corresponding to the low and high resistance states. In addition, retention characteristics longer than 106 s, and SET/RESET pulse operation more than 100k times are confirmed during TEM observation. These results indicate that the in-situ TEM will be a powerful tool to analyze the reliability of ReRAMs and to find out the origin of the failures. | |
| キーワード | （和） | その場観察TEM / 抵抗変化メモリ / in-situ TEM / ReRAM / CBRAM / 信頼性 / / |
| （英） | in-situ transmission electron microscopy / Resistive random access memory / in-situ TEM / ReRAM / CBRAM / reliability / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 3, ICD2016-5, pp. 21-26, 2016年4月. | |
| 資料番号 | ICD2016-5 | |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2016-5 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2016-04-14 - 2016-04-15 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | メモリ技術と一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2016-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ReRAMの抵抗スイッチ動作におけるフィラメント形成・消滅の透過電子顕微鏡内その場観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Visualization of Filament of ReRAM during Resistive Switching by in-situ Transmission Electron Microscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | その場観察TEM / in-situ transmission electron microscopy |
| キーワード(2)（和/英） | 抵抗変化メモリ / Resistive random access memory |
| キーワード(3)（和/英） | in-situ TEM / in-situ TEM |
| キーワード(4)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(5)（和/英） | CBRAM / CBRAM |
| キーワード(6)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 庸夫 / Yasuo Takahashi / タカハシ ヤスオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 工藤 昌輝 / Masaki Kudo / クドウ マサキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyusyu University (略称： Kyusyu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 正志 / Masashi Arita / アリタ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-04-14 13:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2016-5 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.3 |
| ページ範囲 | pp.21-26 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-04-07 (ICD) |
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