講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-05-13 14:50
SiCパワーモジュールの配線インダクタンスが過渡特性に及ぼす影響に関する一検討 ○増田瑛介・井渕貴章・舟木 剛(阪大)・大嶽浩隆・宮崎達也・金武康雄・中村 孝(ローム) EMCJ2016-15 |
抄録 |
(和) |
電力変換回路のさらなる低損失化の実現に向け、次世代パワー半導体デバイスによるスイッチング速度の高速化の検討が進められている。しかし、高速スイッチング動作は回路配線の寄生インダクタンスとの相互作用によってサージを発生させ、回路から生じるEMIノイズの一要因となる。サージやEMIノイズの低減を図るためには、回路や素子の寄生成分のモデル化及びそれに基づく回路設計を行うことが必要である。本検討では配線構造の異なるSiCパワーモジュールを対象とし、部分要素等価回路法を用いた配線インダクタンスのモデル化の検討及び降圧DC/DCコンバータにおける過渡特性の評価を行った。さらにスナバコンデンサによるサージ電圧抑制効果についてもあわせて検証した。 |
(英) |
Fast switching operation using wide-bandgap power semiconductor devices is expected to reduce the switching loss in a converter. However, large $di/dt$ and $dv/dt$ also lead to surge and EMI(Electro-Magnetic Interference) noise by interacting with circuit parasitic inductance. It is necessary to model parasitic component in circuit or element, and to estimate their influence on transient characteristics of power devices. This report models interconnect inductance of SiC power module using Partial Element Equivalent Circuit method and evaluates its influence on transient characteristic in a DC/DC buck converter. This work also studies the effect of a snubber capacitor on the suppression of surge voltage. |
キーワード |
(和) |
サージ / EMI / 寄生インダクタンス / 部分要素等価回路法 / スナバコンデンサ / / / |
(英) |
Surge / EMI / Parasitic inductance / Partial Element Equivalent Circuit method / Snubber capasitor / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 26, EMCJ2016-15, pp. 35-40, 2016年5月. |
資料番号 |
EMCJ2016-15 |
発行日 |
2016-05-06 (EMCJ) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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EMCJ2016-15 |