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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-05-19 15:00 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 ○近藤佑隆・篠原正俊・彦坂朋輝・馬場真人・岡田 浩・関口寛人・山根啓輔・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 48, ED2016-17, pp. 19-23, 2016年5月. | |
| 資料番号 | ED2016-17 | |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2016-05-19 - 2016-05-20 |
| 開催地（和） | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) |
| 開催地（英） | Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of interface formation process between insulator and nitride-semiconductor for insulated gate transistors |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
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| キーワード(5)（和/英） | / |
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| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 佑隆 / Yutaka Kondo / コンドウ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 正俊 / Masatoshi Shinohara / シノハラ マサトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 彦坂 朋輝 / Tomoki Hikosaka / ヒコサカ トモキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 馬場 真人 / Makoto Baba / ババ マコト |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 エレクトロニクス先端融合研究所 (略称： 豊橋技科大) Electronics-Inspired Interdisciplinary Research Institute, Toyohashi University of Technology (略称： EIIRIS, Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山根 啓輔 / Keisuke Yamane / ヤマネ ケイスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第8著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Technol.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-05-19 15:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-17, CPM2016-5, SDM2016-22 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) |
| ページ範囲 | pp.19-23 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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