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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-05-20 09:55 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 ○トン バインガルディ・市村正也（名工大）  ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 |
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| 抄録 | （和） | Zn-richなCuxZnySはp型で透明な半導体である。本研究では光化学堆積法によりCuxZnyS薄膜を作製し、熱処理による特性の変化を調べた。熱処理前の試料はアモルファスで、組成はCu : Zn : S : O = 0.02 : 0.34 : 0.43 : 0.21、バンドギャップは約3.5 eVであった。また、光電気化学測定によりp型の伝導性が確認された。硫黄雰囲気、400℃、1時間の熱処理後には、X線回折測定によりZnS相の形成が観察された。またバンドギャップに有意な変化はなく、伝導型は真性に近づいた。 |
| （英） | Zn-rich of CuxZnyS is a transparent p-type semiconductor. We prepared the CuxZnyS thin films by the photochemical deposition method, and investigated changes in properties due to annealing. The sample before annealing was amorphous, and its composition was Cu: Zn: S: O = 0.02: 0.34: 0.43: 0.21. The band gap was estimated to be about 3.5 eV from the optical transmission measurement. p-type conductivity was confirmed by the photoelectrochemical measurement. After annealing at 400ºC for 1 h, formation of the ZnS phase was observed by X-ray diffraction measurement. While the band gap did not change significantly, the conductivity type became close to intrinsic. | |
| キーワード | （和） | 光化学堆積(PCD)法 / CuxZnyS / 透明半導体 / 硫化熱処理 / / / / |
| （英） | Photochemical deposition (PCD) / CuxZnyS / Transparent semiconductor / Sulfur annealing / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 48, ED2016-22, pp. 43-46, 2016年5月. | |
| 資料番号 | ED2016-22 | |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2016-05-19 - 2016-05-20 |
| 開催地（和） | 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) |
| 開催地（英） | Shizuoka University, Hamamatsu campus (Joint Research Lab.) |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料)およびその他 |
| テーマ（英） | crystal growth、devices characterization , etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2016-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光化学堆積(PCD)法 / Photochemical deposition (PCD) |
| キーワード(2)（和/英） | CuxZnyS / CuxZnyS |
| キーワード(3)（和/英） | 透明半導体 / Transparent semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 硫化熱処理 / Sulfur annealing |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | トン バインガルディ / Bayingaerdi Tong / トン バインガルディ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： NITech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-05-20 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2016-22, CPM2016-10, SDM2016-27 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.48(ED), no.49(CPM), no.50(SDM) |
| ページ範囲 | pp.43-46 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-05-12 (ED, CPM, SDM) |
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