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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 15:25 ［依頼講演］カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用 ○上野啓司（埼玉大）  SDM2016-43 |
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| 抄録 | （和） | グラファイトの単位層であるグラフェンが示す興味深い物性についての研究が活発に行われているが，その一方で，同様な積層構造を持つ他の多くの層状物質も注目を集めている。グラフェンと同様に，単層化された試料が示す様々な新物性が探索されると共に，グラフェンには無いバンドギャップを持つ層状物質半導体の単結晶薄膜を用いて，電界効果トランジスタを作製する研究も数多く行われている。本稿では層状遷移金属ダイカルコゲナイドのバルク単結晶形成手法と電界効果トランジスタ素子への応用について紹介する。 |
| （英） | While intensive studies are reported about many interesting properties of graphene, other layered materials having similar layer-stacking structure as graphene are also attracting much attention. Various new properties shown by the single-layer of each layered material have been investigated. Furthermore, fabrication of a field-effect transistor (FET) has been widely studied using a single-crystalline thin flake of the layered material that has a bandgap unlike graphene. Here, I will introduce single crystal growth and FET application methods of layered transition metal dichalcogenides. | |
| キーワード | （和） | 層状物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 電界効果トランジスタ / 化学気相輸送法 / / / / |
| （英） | Layered Material / Transition Metal Dichalcogenide / Field Effect Transistor / Chemical Vapor Transport / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-43, pp. 59-64, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-43 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of layered chalcogenide materials to field effect transistor devices |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 層状物質 / Layered Material |
| キーワード(2)（和/英） | 遷移金属ダイカルコゲナイド / Transition Metal Dichalcogenide |
| キーワード(3)（和/英） | 電界効果トランジスタ / Field Effect Transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 化学気相輸送法 / Chemical Vapor Transport |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上野 啓司 / Keiji Ueno / |
| 第1著者 所属（和/英） | 埼玉大学 (略称： 埼玉大) Saitama University (略称： Saitama Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 15:25:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-43 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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