講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-06-29 13:30
SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋(東工大) SDM2016-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-38 |
抄録 |
(和) |
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電圧印加で、誘電率の比から界面SiO2層が絶縁破壊し低抵抗状態を実現する。一方、負の電圧の印加によりCeOx膜中の酸素イオンのドリフトによって絶縁破壊箇所が陽極酸化され高抵抗状態へと変化する。このメカニズムに基づくデバイスの試作によってバイポーラ型の抵抗変化メモリの動作確認を行った。また、下部電極としてp+Siとn+Si基板を用いた場合の比較を行った結果、抵抗変化に必要な電圧が仕事関数差に加えて、スイッチングによる固定電荷形成、および界面準位密度が影響していることが明らかになった。 |
(英) |
We propose a resistive switching device with CeOx and SiO2 stacked layers on a Si substrate. Breakdown spots are created in the SiO2 layer upon positive voltage application to the top electrode due to large contrast in the dielectric constant, resulting in the transition to low resistive state. With negative voltage application, oxygen ions in CeOx layer drift into the spot, anodically re-creating SiO2 which change the state to high resistance state. A device operation based on the bipolar-type switching mechanism is experimentally demonstrated. The set voltage has been found to follow the difference in the work functions of the bottom Si substrates, p+Si and n+Si, as well as fixed charges and the degradation in the interface state density. |
キーワード |
(和) |
抵抗変化メモリ / 絶縁破壊 / 局所陽極酸化 / 仕事関数 / 界面準位密度 / / / |
(英) |
resistive switching memory / breakdown / local anodic oxidation / work function / interface state density / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-38, pp. 33-36, 2016年6月. |
資料番号 |
SDM2016-38 |
発行日 |
2016-06-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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