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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 13:30 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス ○角嶋邦之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大）  SDM2016-38 |
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| 抄録 | （和） | 高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電圧印加で、誘電率の比から界面SiO2層が絶縁破壊し低抵抗状態を実現する。一方、負の電圧の印加によりCeOx膜中の酸素イオンのドリフトによって絶縁破壊箇所が陽極酸化され高抵抗状態へと変化する。このメカニズムに基づくデバイスの試作によってバイポーラ型の抵抗変化メモリの動作確認を行った。また、下部電極としてp+Siとn+Si基板を用いた場合の比較を行った結果、抵抗変化に必要な電圧が仕事関数差に加えて、スイッチングによる固定電荷形成、および界面準位密度が影響していることが明らかになった。 |
| （英） | We propose a resistive switching device with CeOx and SiO2 stacked layers on a Si substrate. Breakdown spots are created in the SiO2 layer upon positive voltage application to the top electrode due to large contrast in the dielectric constant, resulting in the transition to low resistive state. With negative voltage application, oxygen ions in CeOx layer drift into the spot, anodically re-creating SiO2 which change the state to high resistance state. A device operation based on the bipolar-type switching mechanism is experimentally demonstrated. The set voltage has been found to follow the difference in the work functions of the bottom Si substrates, p+Si and n+Si, as well as fixed charges and the degradation in the interface state density. | |
| キーワード | （和） | 抵抗変化メモリ / 絶縁破壊 / 局所陽極酸化 / 仕事関数 / 界面準位密度 / / / |
| （英） | resistive switching memory / breakdown / local anodic oxidation / work function / interface state density / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-38, pp. 33-36, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-38 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A resistive switching device based on breakdown and local anodic oxidation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化メモリ / resistive switching memory |
| キーワード(2)（和/英） | 絶縁破壊 / breakdown |
| キーワード(3)（和/英） | 局所陽極酸化 / local anodic oxidation |
| キーワード(4)（和/英） | 仕事関数 / work function |
| キーワード(5)（和/英） | 界面準位密度 / interface state density |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 13:30:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-38 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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