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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-06-29 14:45 リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 ○グェンスァン チュン・藤村信幸・竹内大智・大田晃生・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（名大）  SDM2016-41 |
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| 抄録 | （和） | SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にSiO2薄膜を基板温度500度Cにおいて堆積した。Ar/O2流量比を変化させてSiO2薄膜を堆積したMOSキャパシタを作成し、電流-電圧(I-V)及び容量-電圧(C-V)特性を評価した。さらに、エピタキシャル成長したGaN表面上にO2-RPCVDにより膜厚約5nmのSiO2を堆積した。XPSの分析により、O2-RPCVDと同条件で励起したAr希釈O2ガスのリモートプラズマでGaN表面を処理した場合には、表面酸化が進行するのに対して、O2-RPCVDによりSiO2を堆積した場合には、組成急峻なSiO2/GaN界面が形成されることが分かった。また、価電子帯スペクトル分析より、SiO2/GaN界面のエネルギーバンドアライメントを決定した。 |
| （英） | SiO2 thin films have been deposited on H-terminated Si surface by remote O2 plasma enhanced CVD (O2-RPCVD) using SiH4 and excited Ar/O2 mixture at a substrate temperature of 500dC. MOS capacitors with SiO2 films deposited by O2-RPCVD with various Ar/O2 flow ratio were fabricated and current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics were measured. Furthermore, a 5nm-thick SiO2 was deposited on an epitaxially grown GaN surface by O2-RPCVD. XPS analyses show that the SiO2/GaN interface with steep compositional change was formed for the case of the SiO2 deposition by O2-RPCVD, while the oxidation of the GaN surface proceeded by treating the GaN surface with a remote plasma of Ar/O2 excited under the same condition with O2-RPCVD. In addition, energy band alignment of the SiO2/GaN interface was evaluated by the analysis of valence band spectrum. | |
| キーワード | （和） | SiO2 / PECVD / GaN / XPS / エネルギーバンドアライメント / / / |
| （英） | SiO2 / PECVD / GaN / XPS / Energy Band Alignment / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, no. 118, SDM2016-41, pp. 49-52, 2016年6月. | |
| 資料番号 | SDM2016-41 | |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2016-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2016-06-29 - 2016-06-29 |
| 開催地（和） | キャンパス・イノベーションセンター東京 |
| 開催地（英） | Campus Innovation Center Tokyo |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2016-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Temperature Formation of Thin SiO2 Film by Using Remote Oxygen Plasma Enhanced CVD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiO2 / SiO2 |
| キーワード(2)（和/英） | PECVD / PECVD |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(5)（和/英） | エネルギーバンドアライメント / Energy Band Alignment |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | グェンスァン チュン / NguyenXuan Truyen / グェンスァン チュン |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤村 信幸 / Nobuyuki Fujimura / フジムラ ノブユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 大智 / Daichi Takeuchi / タケウチ ダイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / アキオ オオタ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-06-29 14:45:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2016-41 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.118 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2016-06-22 (SDM) |
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