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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2016-07-08 16:10 非局所スピンバルブを用いた磁気抵抗センサーの再生ヘッドへの応用 ○白鳥聡志・岩崎仁志・橋本 進・高岸雅幸（東芝）  MR2016-19 |
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| 抄録 | （和） | 非局所スピンバルブの再生ヘッドへの応用を目的に，有限要素法シミュレータを用いて非局所スピンバルブ高出力化のための構造最適化を検討した．3磁性端子構造にすることで，2つの固定層から2倍のスピン流が発生し，非磁性細線におけるスピン拡散が抑制されることで2.5倍の出力が得られることを見出した．さらに固定層の面積を増やして印加電流を増加することで，従来4端子構造に対して3.7倍の高出力が得られることがわかった．この構造を用いて，面積抵抗RA = 0.1 Ωμm2，界面分極率PJ = 0.6が得られれば、100 MA/cm2の電流密度，25 × 25 nm2サイズにおいて87 mVとCPP-GMR構造の素子に対しておよそ80 %となる出力が得られることが分かった．この構造は，それぞれの固定層にバイアス電圧がかかるため発熱量は倍になる点を考慮する必要があるが，たとえ計算出力の半分であっても十分再生ヘッドの要求出力を満たせる．以上より，非局所スピンバルブを用いた狭再生ギャップ構造においても，2 Tbit/inch2の再生ヘッドの要求出力を十分に満たせることを示した． |
| （英） | A tri-magnetic terminals structure based non-local spin valves (TMSV) which has dual injector with anti-parallel pined configurations, and detector which measuring the voltage between the free layer and the one side pined layer instead of non-magnetic layer was proposed. The output of TMSV was calculated three-dimensional model by using a finite-element-method (FEM) with spin diffusion equation. The injector area dependence is also calculated. And the structural merits of this system are also discussed. TMSV can obtain 2.4 times larger output than conventional NLSVs of four terminals structure by suppress a spin diffuse in non-magnetic layer and increase a spin accumulation by dual-pin junctions. Eventually, it can obtain 3.7 times larger output than conventional structure by increase current junction area, which output is as same as about 80 % of the conventional (not lateral) spin valves structure. It indicates TMSV is promising for read head sensor which recording densities achieve to 2 Tbits/inch2. | |
| キーワード | （和） | 再生ヘッド / スピン蓄積 / 3磁性端子非局所スピンバルブ / / / / / |
| （英） | HDD / Reader / Spin accumulation / Tri-magnetic terminal-based NLSV / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 116, 2016年7月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2016-07-01 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2016-19 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2016-07-08 - 2016-07-08 |
| 開催地（和） | 中央大学 |
| 開催地（英） | Chuo Univ. |
| テーマ（和） | 固体メモリ・媒体，一般 |
| テーマ（英） | Solid State Memory, Media, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2016-07-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 非局所スピンバルブを用いた磁気抵抗センサーの再生ヘッドへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Non-Local Spin Valve Sensor using Spin Accumulation Effect for Hard Disk Drive Reader |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 再生ヘッド / HDD |
| キーワード(2)（和/英） | スピン蓄積 / Reader |
| キーワード(3)（和/英） | 3磁性端子非局所スピンバルブ / Spin accumulation |
| キーワード(4)（和/英） | / Tri-magnetic terminal-based NLSV |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 白鳥 聡志 / Satoshi Shirotori / シロトリ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩崎 仁志 / Hitoshi Iwasaki / イワサキ ヒトシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 進 / Susumu Hashimoto / ハシモト ススム |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高岸 雅幸 / Masayuki Takagishi / |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2016-07-08 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2016-19 |
| 巻番号（vol） | vol.116 |
| 号番号（no） | no.125 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2016-07-01 (MR) |
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