講演抄録/キーワード |
講演名 |
2016-08-02 09:00
[招待講演]超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 ○橋本昌宜(阪大) SDM2016-54 ICD2016-22 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-54 ICD2016-22 |
抄録 |
(和) |
本報告では、SRAMのソフトエラー耐性について議論する。特に、ニアスレッショルド回路やサブスレッショルド回路が対象とする超低電圧に注目する。地上の環境では高エネルギー中性子がソフトエラーの主要因であり、加速器を用いた照射実験によって得られた高エネルギー中性子起因SERを紹介する。65nm バルクトランジスタを用いたSRAM、ならびにFD-SOIの一種であるSOTB (silicon on thin buried oxide)トランジスタを用いた65nm SRAMの測定結果を示し、それぞれのMCU (multiple cell upset)の発生原因を議論する。 |
(英) |
This paper discusses soft error immunity of near-threshold/subthreshold SRAM. In terrestrial environment, high-energy neutron is the major soft error source, and neutron-induced soft error rates measured using an accelerator are presented. We show measurement results for 65nm bulk SRAM and 65nm SOTB (silicon on thin buried oxide) SRAM, where SOTB is a kind of FD-SOI. Also, the mechanisms of MCU (multiple cell upset) are discussed. |
キーワード |
(和) |
SRAM / ソフトエラー / 中性子 / ソフトラーレート / FD-SOI / ニアスレッショルド回路 / サブスレッショルド回路 / |
(英) |
SRAM / soft error / neutron / soft error rate / FD-SOI / near-threshold circuit / subthreshold circuit / |
文献情報 |
信学技報, vol. 116, no. 173, ICD2016-22, pp. 53-58, 2016年8月. |
資料番号 |
ICD2016-22 |
発行日 |
2016-07-25 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
SDM2016-54 ICD2016-22 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2016-54 ICD2016-22 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD SDM ITE-IST |
開催期間 |
2016-08-01 - 2016-08-03 |
開催地(和) |
中央電気倶楽部 |
開催地(英) |
Central Electric Club |
テーマ(和) |
アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) |
Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2016-08-ICD-SDM-IST |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
超低電圧SRAMのソフトエラー耐性 |
サブタイトル(和) |
|
タイトル(英) |
Soft Error Immunity of Ultra-Low Voltage SRAM |
サブタイトル(英) |
|
キーワード(1)(和/英) |
SRAM / SRAM |
キーワード(2)(和/英) |
ソフトエラー / soft error |
キーワード(3)(和/英) |
中性子 / neutron |
キーワード(4)(和/英) |
ソフトラーレート / soft error rate |
キーワード(5)(和/英) |
FD-SOI / FD-SOI |
キーワード(6)(和/英) |
ニアスレッショルド回路 / near-threshold circuit |
キーワード(7)(和/英) |
サブスレッショルド回路 / subthreshold circuit |
キーワード(8)(和/英) |
/ |
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
橋本 昌宜 / Masanori Hashimoto / ハシモト マサノリ |
第1著者 所属(和/英) |
大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第2著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第3著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第4著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第5著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第6著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第7著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第8著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第9著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第10著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第11著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第12著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第13著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第14著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第15著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第16著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第17著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第18著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第19著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
/ / |
第20著者 所属(和/英) |
(略称: )
(略称: ) |
講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2016-08-02 09:00:00 |
発表時間 |
45分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
SDM2016-54, ICD2016-22 |
巻番号(vol) |
vol.116 |
号番号(no) |
no.172(SDM), no.173(ICD) |
ページ範囲 |
pp.53-58 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2016-07-25 (SDM, ICD) |
|